МОДЕЛЮВАННЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПРОЦЕСІВ В КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ З НЕОМІЧНИМ ТИЛОВИМ КОНТАКТОМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115091Ключові слова:
кремнієвий сонячний елемент, неомічний тиловий контакт, фотоелектричні характеристикиАнотація
Проведене експериментальне і теоретичне моделювання нерівноважних фотоелектричних процесів в дифузійних кремнієвих сонячних елементах (СЕ) з немонотонними (з максимумом) залежностями напруги розімкненого кола VOC від енергетичної освітленості PL, які виникають в умовах, коли під тиловим металевим електродом СЕ існує шар виснаження або інверсії. Експериментальне моделювання проводилось за допомогою двох близьких за параметрами ввімкнених назустріч один одному СЕ, один з яких частково затінювався. Показано, що експериментально отримані залежності ( ) V P OC L для запропонованої моделі є кривими з максимумом. Розрахунки залежностей ( ) V P OC L , виконані на основі теоретичної двох-експоненціальної моделі, добре співпадають з експериментально отриманими результатами та дозволяють промоделювати відповідні залежності для кремнієвих СЕ з неомічним тиловим контактом.
Посилання
Gorban А.P., Kostylyov V.P., Panichevskaja T.V. et al. Photovoltaic perfomance of silicon solar cells
with non-ohmic rear contact // Нетрадиционные источники, передающие системы и преобразователи энергии. — Сборник научных статей. — Часть I. — Харьков, 1997. — С. 41.
Горбань А. П., Костылев В.П., Саченко А.В., Соколовский И.О. Механизмы формирования рекомбинационных токов в прямо смещенных кремниевых р-n-переходах и солнечных элементах. — Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2004. — Вып. 39. — С.57-64.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
