Том 5 № 4 (2008)

Опубліковано: 2017-02-27

Весь випуск

PDF

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

ЕКСІТОНИ ВАН’Є-МОТТА І АТОМИ У ПОСТІЙНОМУ ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ: ФОТОІОНІЗАЦІЯ, ШТАРК ЕФЕКТ ТА РЕЗОНАНСИ У ІОНІЗАЦІЙНОМУ КОНТИНУУМІ

A. V. Glushkov, Ya. I. Lepikh, O. Yu. Khetselius, A. P. Fedchuk, S. V. Ambrosov, A. V. Ignatenko

5-11

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115023
- PDF (English)

Проектування і математичне моделювання сенсорів

МОДЕЛЮВАННЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПРОЦЕСІВ В КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ З НЕОМІЧНИМ ТИЛОВИМ КОНТАКТОМ

A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, V. V. Chernenko

12-16

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115091
- PDF

Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)

ЯМР І ЯКР В ІНТЕРКАЛЬОВАНІЙ СПОЛУЦІ GaSe:Li

Alexander Khandozhko, Galina Lastivka, Zachar Kovalyuk

35-39

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115103
- PDF

Сенсори фізичних величин

СЕНСОРИ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН НА ОСНОВІ СТРУКТУР “КРЕМНІЙ НА ІЗОЛЯТОРІ” З РЕКРИСТАЛІЗОВАНИМ ШАРОМ ПОЛІКРЕМНІЮ

A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko

17-26

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115093
- PDF

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

ОПТИЧНИЙ СЕНСОР ВОДНЮ НА ОСНОВI ПЛIВКИ ОКСИДУ ВОЛЬФРАМУ

G. Ya. Kolbasov, S. V. Volkov, Yu. S. Krasnov, S. S. Fomanuk

27-31

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115095
- PDF (Русский)

Хімічні сенсори

СТРУКТУРНІ ТА АДСОРБЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ КАЛІКСАРЕНОВИХ СПОЛУК

A. E. Belyaev, Z. I. Kazantseva, Ya. I. Lepikh, I. Koshets, Ya. M. Olikh, P. A. Snegur, V. I. Kalchenko

32-34

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115098
- PDF

Технологія виробництва сенсорів

ТЕХНОЛОГІЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ПОЛІМЕРНОГО МІКРОФЛЮЇДНОГО ПРИСТРОЮ

G. M. Bendeberya, K. M. Muzyka, M. M. Rozhitskii

56-61

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115242
- PDF

Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)

ВИСОКИЙ СЕНСОРНИЙ ПОТЕНЦІАЛ САМОВПОРЯДКОВАНИХ МЕТАЛЕВИХ НАНОСТРУКТУР

A. D. Zamkovets, S. M. Kachan, A. N. Ponyavina

73-78

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115247
- PDF (Русский)

Матеріали для сенсорів

БАРИЧНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ В КРИСТАЛАХ TlGaSe2

O. O. Gomonnai, M. Yu. Rigan, I. Yu. Roman, P. P. Guranich, A. G. Slivka

40-46

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115101
- PDF
ОРГАНІЧНА ФОТОЧУТЛИВА КОМПОЗИТНА СТРУКТУРА НА ОСНОВІ ПЕНТАЦЕНУ ТА ПОЛІАНІЛІНУ

V. V. Cherpak, P. Y. Stakhira, Z. Yu. Hotra

47-52

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115106
- PDF
ВПЛИВ ПЕРЕКИСУ ВОДНЮ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВОК

G. Byrlak, L. Vilinskaya

53-55

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115108
- PDF (Русский)

Сенсори та інформаційні системи

ОПТИМІЗАЦІЯ “ЕЛЕКТРОННОГО НОСУ” ДЛЯ КЛАСИФІКАЦІЇ БЕНЗИНІВ МЕТОДОМ КЛАСТЕРНОГО АНАЛІЗУ.

I. Kruglenko

62-66

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115246
- PDF
ДИНАМІКА БАГАТОШАРОВОЇ НЕЙРОННОЇ МЕРЕЖИ НА ОСНОВІ ФОТОННОЇ ЛУНИ: ЧИСЕЛЬНА РЕАЛІЗАЦІЯ З ВХІДНИМ СIНУСОIДАЛЬНИМ ІМПУЛЬСОМ

A. V. Glushkov, A. V. Loboda, N. G. Serbov, A. A. Svinarenko, V. V. Buyadzhi

67-72

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115245
- PDF (Русский)