СЕНСОРИ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН НА ОСНОВІ СТРУКТУР “КРЕМНІЙ НА ІЗОЛЯТОРІ” З РЕКРИСТАЛІЗОВАНИМ ШАРОМ ПОЛІКРЕМНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115093Ключові слова:
полікремній, лазерна рекристалізація, мікроелектронний сенсор, сенсор температури, сенсор тискуАнотація
Представлено результати досліджень зі створення мікроелектронних сенсорів механічних і теплових величин на основі структур “кремній на ізоляторі” (КНІ-структур) з рекристалізованих лазером шаром полікремнію. Описано розроблену технологію мікрозонної лазерної рекристалізації полі-Si шарів. На основі проведених досліджень терморезистивних характеристик шарів полі-Si з різною концентрацією носіїв заряду розроблено мікроелектронні сенсори температури для різних температурних діапазонів, а також сенсори кріогенних температур, працездатні в сильних магнітних полях. Проведено дослідження тензорезистивних властивостей шарів полі-Si з різною концентрацією носіїв у широкому інтервалі деформацій і температур. Представлено розроблені мікроелектронні тензорезистивні сенсори тиску різного призначення: високочастотні сенсори для аеродинамічних досліджень, сенсори тиску медичного призначення., а також сенсори для вимірювання тиску і температури Описано також створений ємнісний мікроелектронний сенсор для вимірювання артеріального тиску.
Посилання
Мокров Е.А.. Интегральные датчики. Состояние разработок и производства. Направление развития, объемы рынка // Датчики и системы. — №1. — 2000. — C.28–30.
Bogue W. The role of materials in advanced sensor technology// Sensor Rev. — 2002. — Vol.22,No4. — P.289-299.
Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия — перспективная технология элементной базы микроэлектроники. М.: Наука, 1988. — 177 c.
Druzhinin A.A., Kostur V.G., Kogut I.T., Pankevich I.M., Deschinsky Y.L. Microzone laser recrystallized polysilicon layers on insulator // Phys. And Tech. Probl. of SOI Struct. and Devices. J.P.Collinge et al. (eds.) NATO ASI Series. Kluwer Acad. Publishers, Netherlands, 1995. — P.101–105.
Дружинін А.О., Мар’ямова І.Й., Когут І.Т., Ховерко Ю.М. Дослідження низько- температурних характеристик шарів полікремнію на ізоляторі для створення сенсорів теплових і механічних величин // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. — 2006. — № 2. — С. 10-15.
Druzhinin А., Maryamova I., Kogut I. et al. Polysilicon-on-insulator layers at cryogenic temperatures and high magnetic fields // Science and Technology of SOI Structures and Devices Operating in a Harsh Environment: ed. by D. Flandre et al. — Dordrecht: Kluwer Academic Publishers. — 2005. — P. 297-302.
Патент № 22368 Україна, МПК G01K 7/00. Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях / Дружинін А.О., Мар’ямова І.Й., Когут І.Т., Ховерко Ю.М.; Національний університет “Львівська політехніка” — № u200611374; Заявл. 30.10.2006; Опубл. 25.04.2007, Бюл. № 5. — 3 с.
Voronin V.A., Maryamova I.I., Druzhinin A.A., Lavitska E.N., Pankov Y.M. SOI pressure sensors based on laser recrystallized polysilicon // Phys. And Tech. Probl. of SOI Struct. and Devices. J.P.Collinge et al. (eds.) NATO ASI Series. Kluwer Acad. Publishers, Netherlands. — 1995. — P.281-286.
Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Voronin V. Mechanical sensors based on laser-recrystallized SOI structures. Sensors and Actuators A. Physical. — 1997. — Vol.A61. — P.400-404.
A.Druzhinin, E.Lavitska, I.Maryamova. Medical pressure sensors on the basis of silicon microcrystals and SOI layers. Sensors and Actuators. — 1999. — Vol.B58. — P. 415-419.
A.Druzhinin, Е.Lavitska, I.Maryamova, І.Kogut, Y.Khoverko. On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors. Journal of Telecomunications and Information Technology. — 2001. — №1. — P.40-45
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
