БАРИЧНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ В КРИСТАЛАХ TlGaSe2

O. O. Gomonnai, M. Yu. Rigan, I. Yu. Roman, P. P. Guranich, A. G. Slivka

Анотація


Досліджено шаруваті сегнетоелектрики TlGaSe2  з неспівмірною фазою при високих гідростатичних тисках (pатм ≤p≤ 660 МПа). Встановлено, що при збільшенні тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності в область вищих температур, зміна температур характерних аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у досліджуваному інтервалі тисків. За результатами досліджень баричних залежностей діелекричної проникності, піроелектричного коефіцієнта та петель гістерезису побудована (p,T)– діаграма кристалів TlGaSe2


Ключові слова


шаруватий кристалл; фазовий перехід; гідростатичний тиск

Повний текст:

PDF

Посилання


Seyidov M. — H.Yu., Suleymanov R.A., Babaev S.S., Mamedov T.G., and Sharifov G.M. Effect of External Fields on the Memory Effect of the Incommensurate Phase in the Ferroelectric–Semiconductor TlGaSe2 // Physics of the Solid State. — 2008. — V. 50, №.1. — P. 108–117.

Senturk E, Mikailov F.A. Some special dielectric characteristics of TlGaSe2 layered crystals // Crystal Research and Technology. — 2006. — V. 41, №11.— P. 1131–1135.

Mikailov F.A., Basaran E., Tumbek L., Senturk E., Mammadov T.G. Thermal history and dielectric behavior in the incommensurate phase of TlGaSe2 // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2005. — V. 351. — P. 2809–2812.

Senturk E., Tumbek L., Salehli F., Mikailov F.A., Incommensurate phase properties of TlGaSe2 layered crystals // Crystal Research and Technology. — 2005. — V. 40, №3. — P. 248–252.

Muller D., Hahn H. Zur structur des TlGaSe2 // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1978. — V. 438, №1. — P. 258–272.

McMorrow D.F., Cowley R.A., Hatton P.D., Banys J. The structure of the paraelectic and icommesurate phases of TlGaSe2 // J. Phys.: Cond. Matter. — 1990. — V.2. — P. 3699-3712.

Henkel W., Hochheimer H.D., Carlone C., Werner A., Ves S. and Schnering H.G. High-pressure Raman study of the ternary chalcogenides TlGaS2, TlGaSe2, TlInS2 and TlInSe2 // Phys. Rev. B. — 1982. — V. 26, №6. — P. 3211–3221.

Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Peresada G.I., Ponatovski E.G., Sharifov Ya.N. Phase diagrams of

TlInS2, TlGaS2, и TlGaSe2 layered semiconductors under hydrostatic pressure up to 1.2 GPa // Sov.Phys. Solid State. — 1985. — V. 27, №3. — P. 927 – 928.

Ves S. Effects of hydrostatic pressure on the fundamental absorption edge of TlGaSe2 // Phys. Rev. B. — 1989. — V. 40, №11. — P. 7892–7897.

Guranich P., Shusta V., Gerzanich E., Slivka A., Kuritsa I., Gomonnai O. Influence of hydrostatic pressure on dielectric properties of CuInP2 S6 and CuInP2 Se6 layered crystals // J. Phys.: Conf. Ser. — 2007. — V. 79. — P. 012009-1–012009-4.

Byer R.L., Rwundy C.B. Pyroelectric coefficient direct measrement technigue and application sec response time detector // Ferroelectrics. — 1972. — V. 3, №2–4. — P. 333–338.

Shaulov A., Bell M.I., Smith W.A. Direct measurement of piroelectric figures of merit of proper and improper ferroelectrics // J. Appl. Phys. — 1979. — V. 50, №7. — P. 4913–4919.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115101

Copyright (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)