ГРАНИЧНІ ЗНАЧЕННЯ ВИЯВЛЮВАЛЬНОЇ ЗДАТНОСТІ ТЕПЛОВИХ ТА ФОТОННИХ ПРИЙМАЧІВ ІНФРАЧЕРВОНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ

Автор(и)

  • F. F. Sizov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine https://orcid.org/0000-0003-0906-0563
  • A. V. Shevchik-Shekera Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.1.115290

Ключові слова:

тепловий та фотонний ПВ, виявлювальна здатність

Анотація

Обговорено можливі граничні значення виявлювальної здатності ( D* ) фотонних та теплових приймачів інфрачервоного (ІЧ) випромінювання та проведено порівняння з експериментальними даними. У теплових приймачах випромінювання (ПВ) енергія падаючих на них фотонів, розподіляється за степенями свободи решітки (або електронів), перетворюється в теплоту (або розігріває електрони) і реакція ПВ обумовлена підвищенням температури або чутливого елемента або електронів в ньому, що призводить до зміни його  фізичних станів. В ідеальному випадку теплові ПВ неселективні. В фотонних ПВ фотони, що поглинаються , взаємодіючи з електронами ПВ, переводять їх в стан з іншою енергією, що призводить до зміни електричних характеристик ПВ. Як наслідок таких процесів переходу електронів із одного стану в інший, квантові ПВ є селективними і мають довгохвильову границю фоточутливості. Розглянуті можливості використання різних типів ПВ в різних спектральних діапазонах із врахуванням їх фізичних властивостей, характеристик та умов експлуатації.

Посилання

Ллойд Дж. Системы тепловидения. М.: Мир, 1978. — 417с.

Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. М.: Физматкнига, 2005. — 381 с.

Rogalski A. Infrared Detectors. — The Netherlands: Gordon and Breach Science Publishers, 2000. — 681 p.

Сизов Ф.Ф. Фотоэлектроника для систем видения в “невидимых участках спектра”. − К.: Академпериодика, 2008. − 460 с.

Van der Ziel A. Noise in solid state devices and circuits. Wiley.: N.Y. 1986. — 306 p.

Левич В.Г. Курс теоретической физики, Т. 1. М.: Наука, 1969. — 910 с.

Piotrowski J., and Gawron W. Ultimate performance of infrared photodetectors and figure of merit of detector material. Infr. Phys. Technol., 38, Р. 63 – 68 (1997).

Kinch M.A. Fundamental physics of infrared detector materials. J. Electron. Materials, 29, p. 809 – 817 (2000).

Leotin G. Far-infrared photoconductive detectors. Proc. SPIE, 666, Р. 81 – 100 (1986).

Siegel P.H. THz technology: an overview// Intern. J. High Speed Electronics and Systems. — 13. — P.351–394.

Розанов Б.А., Розанов С.Б. Приемники милли- метровых волн. — М.: Радио и связь. — 1989. — 169 c.

Кошелец В.П., Шитов С.В., Филиппенко Л.В., Дмитриев П.Н., Ермаков А.Б., Соболев А.С., Торгашин М.Ю. Интегральные сверхпроводниковые приемники субмиллиметровых волн. Известия вузов. Радиофизика. 46, С. 687 – 701 (2003).

A. Semenov, H. Richter, K. Smirnov, B. Voronov, G. Gol’tsman, H. — W. Hubers. The development of terahertz superconducting hot-electron bolometric mixers. Supercond. Sci. Technol., 17, Р. S436 – S439 (2004).

J.L. Tissot, A. Astier, J.P. Chatard, S. Trouilleau, J.J. Yon. Low cost amorphous silicon based 160x120 uncooled microbolometer 2D array for high volume applications. Proc. SPIE, 5074, Р. 511-517 (2003).

Sizov F.F., Reva V.P., Golenkov A.G., Vasiliev V.V., Suslyakov A.O. 4Ч288 readouts and FPAs properties. Optoelectronics Review, 14, Р.79 – 86 (2006).

Alain J Kreisler and Alain Gaugue. Recent progress in high-temperature superconductor bolometric detectors from the mid-infrared to the far-infrared (THz) range.Supercond.Sci.Technol.13, С. 1235 – 1245 (2000).

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-02-10

Номер

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори