ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ В PbSnTe:In ПРИ ІНЖЕКЦІЇ ЕЛЕКТРОНІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.115421Ключові слова:
струми, обмежені просторовим зарядом, осциляцїї струму, поляризуємістьАнотація
У даній роботі обговорюється природа загасаючих коливань струму в плівках
PbSnTe:In після подачі на них постійної напруги під час відсутності фонового засвічення. Обговорення проводиться в рамках теорії струмів, обмежених просторовим зарядом з урахуванням зміни величини поляризуємості середовища при захопленні інжектованих з контакт ів електронів на розподілені по енергії пастки.
Посилання
Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С.П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe. — ФТП, 2005. — Т. 39, № 5, — P. 563–568.
Акимов А. Н., Ерков В.Г., Кубарев В. В., Молодцова Е. Л., Климов А.Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в терагерцовой области спектра // ФТП. — 2006. Т. 40, № 2, — С.169–173.
Климов А. Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в области собственного поглощения // ФТП. — 2008. Т.42, № 2, — С.147-152.
Klimov A. E., Shumsky V. N. Shallow traps and the space-charged-induced limitation of the injection current in PbSnTe:In narrow-gap ferroelectric // Physica B — 2009. V. 404, — P. 5028–5031.
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников Г. О возможности рекомбинационной неустойчивости в полупроводниках // ФТТ. 1965. Т.7, № 3. с. 750–758.
Klimov A. E., Shumsky V. N. Photodielectrical effect in Pb1-xSnxTe epitaxial films prepared by MBE. // Optoelectronics Instrumentation and Date Processing 2001. No 3. P. 53–62
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
