ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ В PbSnTe:In ПРИ ІНЖЕКЦІЇ ЕЛЕКТРОНІВ

Автор(и)

  • А. М. Акімов Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • А. Е. Клімов Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • І. Г. Неізвестний Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • М. С. Пащин Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • В. М. Шерстякова Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація
  • В. М. Шумський Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.115421

Ключові слова:

струми, обмежені просторовим зарядом, осциляцїї струму, поляризуємість

Анотація

У даній роботі обговорюється природа загасаючих коливань струму в плівках
PbSnTe:In після подачі на них постійної напруги під час відсутності фонового засвічення. Обговорення проводиться в рамках теорії струмів, обмежених просторовим зарядом з урахуванням зміни величини поляризуємості середовища при захопленні інжектованих з контакт ів електронів на розподілені по енергії пастки.

Посилання

Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С.П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe. — ФТП, 2005. — Т. 39, № 5, — P. 563–568.

Акимов А. Н., Ерков В.Г., Кубарев В. В., Молодцова Е. Л., Климов А.Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в терагерцовой области спектра // ФТП. — 2006. Т. 40, № 2, — С.169–173.

Климов А. Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в области собственного поглощения // ФТП. — 2008. Т.42, № 2, — С.147-152.

Klimov A. E., Shumsky V. N. Shallow traps and the space-charged-induced limitation of the injection current in PbSnTe:In narrow-gap ferroelectric // Physica B — 2009. V. 404, — P. 5028–5031.

Бонч-Бруевич В. Л., Калашников Г. О возможности рекомбинационной неустойчивости в полупроводниках // ФТТ. 1965. Т.7, № 3. с. 750–758.

Klimov A. E., Shumsky V. N. Photodielectrical effect in Pb1-xSnxTe epitaxial films prepared by MBE. // Optoelectronics Instrumentation and Date Processing 2001. No 3. P. 53–62

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-01-16

Номер

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори