DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.115421

ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ В PbSnTe:In ПРИ ІНЖЕКЦІЇ ЕЛЕКТРОНІВ

А. М. Акімов, А. Е. Клімов, І. Г. Неізвестний, М. С. Пащин, В. М. Шерстякова, В. М. Шумський

Анотація


У даній роботі обговорюється природа загасаючих коливань струму в плівках
PbSnTe:In після подачі на них постійної напруги під час відсутності фонового засвічення. Обговорення проводиться в рамках теорії струмів, обмежених просторовим зарядом з урахуванням зміни величини поляризуємості середовища при захопленні інжектованих з контакт ів електронів на розподілені по енергії пастки.


Ключові слова


струми; обмежені просторовим зарядом; осциляцїї струму; поляризуємість

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С.П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe. — ФТП, 2005. — Т. 39, № 5, — P. 563–568.

Акимов А. Н., Ерков В.Г., Кубарев В. В., Молодцова Е. Л., Климов А.Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в терагерцовой области спектра // ФТП. — 2006. Т. 40, № 2, — С.169–173.

Климов А. Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в области собственного поглощения // ФТП. — 2008. Т.42, № 2, — С.147-152.

Klimov A. E., Shumsky V. N. Shallow traps and the space-charged-induced limitation of the injection current in PbSnTe:In narrow-gap ferroelectric // Physica B — 2009. V. 404, — P. 5028–5031.

Бонч-Бруевич В. Л., Калашников Г. О возможности рекомбинационной неустойчивости в полупроводниках // ФТТ. 1965. Т.7, № 3. с. 750–758.

Klimov A. E., Shumsky V. N. Photodielectrical effect in Pb1-xSnxTe epitaxial films prepared by MBE. // Optoelectronics Instrumentation and Date Processing 2001. No 3. P. 53–62




Copyright (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)