ЕЛЕКТРОННО-ОПТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ АВТОЕМІСІЙНИХ МІКРОКАТОДІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115478Ключові слова:
автоемісія, кремнієвий мікрокатод, електронна оптика, траєкторія електронівАнотація
Застосовано комплексний підхід до електронно-оптичного моделювання кремнієвих автоемісійних мікрокатодів. В рівнянні Фаулера-Нордгейма враховано форму потенціального бар’єру для зони провідності і валентної зони. Отримано апроксимацію рівняння Лапласа для розрахунку потенціалів методом скінчених різниць. Показано результат розрахунку потенціалу і електричного поля мікрокатоду. Встановлено вплив просторового заряду на рух електронів і показано їх траєкторії. Отримано оцінку чутливості фоторезисту для цифрової літографії
Посилання
Абаньшин Н.П. Исследование механизма ионного нагружения острийных эмиттеров автоэмиссионных структур / Н.П. Абаньшин, Б.И. Горфинкель, А.Н. Якунин // “Письма в ЖТФ”. — Том 32, № 20, 2006. — C. 52-59.
Молоковский С.И. Интенсивные электронные и ионные пучки / С.И. Молоковский, А.Д. Сушков. — [2-е изд.]., — М.: Энергатомиздат, 1991. — 302 с.
Семененко Н.Г. Введение в математическое моделирование. Maple, Mathematica, MATLAB / Н.Г. Семененко. — М.: Солон, 2002. — 112 с.
Femlab Multiphysics: www.comsol.com
Simion, Lorentz. Advanced electrostatic/magnetic fields and trajectories particles simulation: www.simiom.com.
Software products for simulating charged-particle beam: www.field.com.
Fowler R.H. Electron emission in intense electric fields / R.H. Fowler, L.W. Nordheim // Proc. R. Soc. Ser. A. — 1928. — Vol. 119, No. 781. — P. 173.
Stratton R. Field emission from semiconductor / R. Stratton // Proc. Phys. Soc. London. — 1955. — V. B68. — P. 746-757.
Stratton R. Theory of field emission from semiconductors / R. Stratton // Phys. Rev. — 1962. — V. 125. — P. 67-82.
Фишер Р. Автоэлектронная эмиссия полупроводников / P. Фишер, X. Норман; пер. с нем. — М. — 1971.
Голота В.І. Особливості автоелектронної емісії напівпровідникових мікрокатодів / В.І. Голота //
Восточно-Европейский журнал передовых технологий. — 2008. — № 5/4 (35). — C.4-7.
Dvorson L. Analitical Electrostatic Model of Silicon Conical Field Emitters-Part I / L. Dvorson, M. Ding and A.I. Akinwande // IEEE Transaction on Electron Devices. — Jan. 2001. — Vol. 48. — P. 134.
Бинск К. Анализ и расчет электрических и магнитных полей / К. Бинск, П. Лауренсон; пер. с
англ. — 1970. — 376 с.
Голота В.І. Розрахунок напруженості електростатичного поля і автоемісійного струм кремнієвого мікрокатоду / В.І. Голота // Вос-точно-Европейский журнал передовых технологий. — 2008. — № 5/4 (35). — C.8-16.
Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике / O. Зенкевич; пер. с англ. — М.: Мир, 1975. — 541 с.
Метьюз Д. Численные методы. Использование MATLAB / Джон Г. Метьюз, Куртин Финк; 3-е изд.; пер. с англ. — М.: Изд. дом “Вильямс”. — 2001. — 720 с.
Mitsui T. Computer simulation of electron trajectories with the space charge in cascade static lens gauge / T. Mitsui, T. Urano, M. Tanaka, T. Kanaji. // Applied Surface Science. — 2001. — Vol. 169-170. — P. 747-751.
Пат. № 32528 України, МКІ H05K 21/00. Спосіб виготовлення мікровакуумного автоемісійного
випромінювача з планарно-торцевим катодом / Голота В.І.; Прикарпатський НУ ім. В. Стефаника;
заявл. 04.02.08; опубл. 11.08.08, Бюл. № 15. — 14с.
Yoshizawa Masaki. A Feasibility Study of 50 nm Resolution with Low Energy Electron Beam Proximity
Projection Lithography / Masaki Yoshizawa and T. A. Savas // Jpn. J. Appl. Phys. — 2002. — Vol. 41. — P. L87-L88.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
