Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Поточний випуск
Архіви
Про нас
Про журнал
Подання
Редакційний штат
Заява про конфіденційність
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 6 № 2 (2009)
Том 6 № 2 (2009)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ПОЛЯРИЗАЦІЙНІ ЯВИЩА В АЦЕНТРИЧНИХ КРИСТАЛАХ В УМОВАХ НЕОДНОРІДНОГО ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДІЄНТА
V. F. Kosorotov, L. V. Shchedrina
5-9
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115475
PDF (Русский)
Біосенсори
ВИКОРИСТАННЯ НАПІВМАГНІТНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ НАНОЧАСТИНОК ДЛЯ ВІЗУАЛІЗАЦІЇ СТРУКТУР БІОЛОГІЧНИХ ТКАНИН
V. I. Fediv, I. S. Davydenko, A. I. Savchuk, M. M. Marchenko, T. A. Savchuk
43-48
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115673
PDF
Проектування і математичне моделювання сенсорів
ЕЛЕКТРОННО-ОПТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ АВТОЕМІСІЙНИХ МІКРОКАТОДІВ
A. A. Druzhinin, V. I. Holota, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko
10-17
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115478
PDF
Сенсори фізичних величин
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО І ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРІВ ПРИ ДІЇ РАДІАЦІЇ
I. V. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, A. E. Maistrenko, P. Yu. Markolenko
18-21
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115482
PDF (Русский)
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ВПЛИВ γ-ОПРОМІНЕННЯ НА ІЧ ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНОГО СКЛА As32Sb8 S60
T. S. Kavetskyy, O. I. Shpotyuk, G. I. Dovbeshko, I. V. Blonskyy, V. M. Tsmots
22-25
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115483
PDF (English)
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ ЯДЕР ІЗОТОПІВ 207Bi ТА 207Pb МЕТОДАМИ ЛАЗЕРНОЇ СПЕКТРОСКОПІЇ НАДТОНКОЇ СТРУКТУРИ
O. Yu. Khetselius
26-29
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115666
PDF (English)
ЕНЕРГЕТИЧНІЙ ПІДХІД ДО ВИВЧЕННЯ ПРОЦЕСІВ ЗАХОПЛЕННЯ ЕЛЕКТРОНУ ТА ІОНІЗАЦІЇ В ІОН-АТОМНІЙ СИСТЕМІ ІЗ ЗІТКНЕННЯМ
A. V. Loboda
30-36
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115671
PDF (English)
Акустоелектронні сенсори
ДИНАМІКА АКУСТИЧНОЇ ЕМІСІЇ У ЛОКАЛЬНО-НЕОДНОРІДНО ТЕРМОНАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
O. V. Lyashenko
37-42
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115672
PDF
Технологія виробництва сенсорів
СТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ КОНТАКТІВ Al I Au НА ТОНКОПЛІВКОВОМУ Zn1-x Mnx O
V. V. Khomyak
64-68
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115677
PDF
РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ ШАРІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ ДЛЯ ЕКОНОМІЧНИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
D. A. Kudiy, N. P. Klochko, G. S. Khrypunov, N. A. Kovtun, K. Y. Krikun, E. K. Belonogov
69-73
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115679
PDF (Русский)
Матеріали для сенсорів
КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА ТА МАГНІТНІ ВЛАСТИВОСТІ СПЛАВІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ У СИСТЕМІ Tm-Ge-Si
R. S. Kozak, S. Ya. Pukas, Yu. K. Gorelenko, R. E. Gladyshevskii, D. V. Labovka, L. I. Pankiv, V. M. Tsmots
49-55
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115675
PDF
ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНИХ КРИСТАЛІВ Sn2 P2 S6
Yu. Tyagur
56-63
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115676
PDF
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems