ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО І ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРІВ ПРИ ДІЇ РАДІАЦІЇ

Автор(и)

  • I. V. Vikulin Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна
  • Sh. D. Kurmashev Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • A. E. Maistrenko Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна
  • P. Yu. Markolenko Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115482

Ключові слова:

датчик, одноперехідний транзистор, генератор

Анотація

Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації на його працездатність.

Посилання

Викулин И. М., Стафеев В.И., Физика полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь, 1990. –270 с.

Викулина Л. Ф., Глауберман М. А., Физика сенсоров температуры и магнитного поля. — Одесса.: Маяк, 2000. — 244 с.

Викулин И. М., Ильин С. В., Мингалев В. А., Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией // Технология и констр. в электронной аппаратуре. — 2003. – №6. — С. 46-47.

Козловский В.А., Козловский В.В., Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами // ФТП. — 2001. — Т.35, №7. — С.769-795.

Викулин И. М., Никифоров С. Н., Панфилов И. П., Действие радиации на характеристики элементов волоконно-оптических линий связи // Праці УНДІРТ. — 2005. –№4. — С.35-36.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-02-10

Номер

Том 6 № 2 (2009)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.