ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНИХ КРИСТАЛІВ Sn2 P2 S6
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115676Ключові слова:
сегнетоелектричні кристали, електричний опір, температура, енергіяАнотація
Досліджені залежності електричного опору ( R ), відносного температурного коефіцієнту електричного опору (α ) від температури для кристалів Sn2 P2 S6. Встановлено, що при зростанні температури залежність RT( ) експоненціально зменшується з різними термічними константами ( ) B . Визначені константи ( ) B та енергія залягання домішкових рівнів в сегнетоелектричній та параелектричній фазах. Встановлено, що коефіцієнт (α) має великі значення в сегнетоелектричній і параелектричній фазах, а також проявляє аномалію в околі точки фазового переходу. Обчислено енергію домішкових рівнів, яка в сегнетофазі є рівною 1, 0.12 EeBfe = , 2, 1.17 EeBfe = , а в парафазі — 3, 0.87 EeBpa = .
Посилання
Готра З. Ю., Ильницький Л. Я., Полищук Е. С. И др. Датчики. Справочник. — Львів, Вид. Каменяр, 1995г.. — 312с.
Левшина Е. С., Новицкий П. В. Электрические измерения физических величин. Учебное пособие для вузов. — Ленинград, Энергоатомиздат, 1983г.. — 320 с.
Виглеб Г. Датчики: Пер. с нем. — Москва, Изд. Мир, 1989г.. — 196с.
Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. — Москва, Изд. Наука, 1976г.. — 408с.
Тягур Ю. И., Фирцак Ю. Ю., Лада Л. В. Реферативно — информационный обзор по материалам 2 26 IV V VI A BC . — Ужгород, Изд. Патент, 1992г.. — 316с.
Высочанский Ю. М., Сливка В. Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn2 P2 S6 . Свойства в окрестности точки Лифшица. — Львов, Изд. Закарпаття, 1994г., — 264с.
Vysochanskii Yu., Yanssen T., Currat R., Folk R.,Banys J., Grigas J., Samulionis V.. Phase transitions in phosphorus chalcogenide crystals. — Vilnius University Publishing House, Vilnius, 2006. — 453 p.
Семак Д. Г., Різак В. М., Різак І. М. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів. Монографія. — Ужгород, Вид. Закарпаття., 1999р. — 392с.
Різак В. М., Різак І. М., Семак Д. Г. Функціональні халькогенідні напівпровідники. Монографія. —
Ужгород, Вид. Закарпаття., 2001р. — 152с.
Тягур Ю. И. Пьезоэлектрические свойства монокристаллов Sn2 P2 S6 . Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. — 2005. — №18. — С. 62-75
Tyagur Yu. Spontaneous Polarization in Sn2 P2 S6 Ferroelectric Single Crystals. Ferroelectrics. — 2006. —V. 345. — Р. 91-101.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
