ЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ, ЩО ЛЕГОВАНІ АТОМАМИ ЛІТІЮ І АЛЮМІНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.115945Ключові слова:
Люмінесценція, нанокристали сульфіду кадмію, домішкове легуванняАнотація
Досліджувалось отримання і люмінесцентні властивості нанокристалів (НК)
CdS, що легировані домішками Li. Леговані НК були отримані методом золь-гель технології в желатиновому розчині. Обговорюється механизм люмінесценціі НК CdS (Li) з λмакс =520 нм і показано покращення стабільності люмінесценції при сумісному легуванні CdS атомами металлів Li и Al.
Посилання
Alivisatos A. P. Perspectives on the PhysicalChemistry of Semiconductors Nanocrystals.// J. Phys. Chem. — 1996. — Vol. 100. — P.13226–13239
Firth A. V., Haggata S. W., Khanna P. K., Williams S. I., Allen J. W., Magonnis S. W., Samuel D. W. and Cole-Hamilton P. I.// J. Lumin. — 2004. — Vol.109. — P.169–172
Ito Y, Matsuda K. and Kanemitsa Y. Photoluminescence intermitteney in singl CdSe nanoparticles:Envit5onment5t dependence.//J. Lumin., 128 (2008)868–870
Winker V., Eich D., Chen Z. H., Fink R., Kuekarni S. K. and Umbach E. Detaled investigation of CdS nanoparticles surfaces by hign-resolution photoelectron spectroscopy. //Chem. Phys.Letters. — 1999. — Vol. 306 — P.95–102
Воронцова M. M., Малушин Н. В., Скобеева В. М., Смынтына В. А. Оптические и люминесцентные свойства нанокристаллов
сульфида кадмия. //. Научн. Сб. Фотоэлектроника — 2002. — № 11 — С.104–105.
Воронцова М. М., Скобєєва В. М., Сминтина В. А Оптичні властивості наночастинок сульфіду кадмію у стабілізуючих розчинах..//. Журнал фізичних досліджень — 2004. — Т.8, — С. 89–92.
Скобеева В. М., Смынтына В. А., Свиридова О. И., Струц Д. А., Тюрин А. В. Оптические свойства нанокристаллов сульфида кадмия,
полученных золь-гель методом в желатине // ЖПС — 2008. — Т.75, — С. 556–562.
Kanemitsu Y., Ishizumi A..// J. Lumin., — 2006. —T.119–120. — P. 161–166.
Yousefi M. H., Khoseravi A. A., Rahimi K., and Nazesh A.. Comparing the Luminescence of ZnSe:Mn/CdS:Mn quantum dots.//Eur. Phys.J. Appl.Phys. — 2009. — T.45. — P.10602–10612.
Argowal B. K., Agrawaln S. Agintro study of doped nanostructures-Mn-doped ultrathin ZnS films.// Physica E. — 2005. — Vol..30. — .P.7–12
Агекян. В. Ф. Внутрицентровые переходы ионов группы железо в полупроводниковых матриалах типа II-Y1.// ФТТ. — 2002. — № 11. — С.1921–1939
Yang P., Lii M., Xu D., Yuan D., Song C., Liu S., Cheng X.. //Optical Materials — 2003. — Vol.24 — P. 497–502.
Okamoto S., Koboyashi M., Konemitsu Y. and Kushida T..// Phys.Stat.Sol.(b). — 2002. — № 1 — P.481–484
A. A. Bol, R. Beek, J. Ferwerda, A. Mejerink.// J. Phys.Chem.Solids. — 2003. — Vol. 64 — P. 247–253
Скобєєва В. М., Сминтина В. А., Малушин М. В. Спосіб одержання наночастинок сульфіду кадмію для люмінофорів,// Патент Украины
№ 29893(2008)
Smyntyna V., V. Skobeeva, N. Malushin. The nature of emission centers in CdS nanocrystals. // Journal of Radiation Measurements. — 2007. — Vol. 42. — P. 693–696.
V. Smyntyna, Skobeeva V., Malushin N.. The influence of illumination on the luminescence properties of gelantine-stabilized CdS nanocrrystals // Materials of the meeting «Clusters and nanostructured materials». Uzhgorod — ‘Karpaty’, Ukraine, 9–12 October, 2006, pp.203 -204.
Nayak I., Kimura S., Nozaki S.// J. Lumin. — 2009. — Vol.129. — P. 12–16
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
