ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ НА СТРУМИ У ФОТОДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ КРТ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.115952Ключові слова:
фотодіоди, низькотемпературний відпал, дифузія, КРТАнотація
Подано результати дії серії послідовних низькотемпературних відпалів (70°С,
80°С, 90°С, 100°С тривалістю 10 годин) на розподіл струму в фотодіодних лінійках ІЧ діапазону (8–12 мкм), сформованих на епітаксійних плівках КРТ. Моделювання ВАХ фотодіода з урахуванням рівняння балансу носіїв заряду показало, що концентрація рекомбінаційних центрів зменшується, а час життя неосновних носіїв заряду збільшується. Висунуто припущення, що деградація фотодіодів після відпалу з температурою 100°С зумовлено малою товщиною епітаксійної плівки, а р-n перехід після відпалу досягає інтерфейсної границі.
Посилання
Akira Ajisawa, Naoki Oda. Improvement in HgCdTe diode characteristics by low temperature post-implantation annealing // Journal of Electronic Materials. — 1995. — V. 24, No. 9. — P. 1105–1111.
Васильев В. В., Протасов В. Н., Протасов Д. Ю., Талипов Н. Х. Влияние термообработок на параметры фотодиодов, сформированных ионной
имплантацией бора в гетероэпитаксиальные слои МЛЭ CdXHg1-XTe p-типа // Прикладная физика. — 2005. — № 2. — С. 37- 42.
Петухов В. Ю. Влияние низкотемпературного отжига на электрические и структурные характеристики эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-
теллур и марганец-ртуть-теллур // Прикладная физика. — 2005. — № 6. — С. 125–128.
Сизов Ф. Ф., Забудский В. В., Голенков А. Г., Андреева К. В., Гузенко Г. О., Лысюк И. А. Методика измерения темновых токов полупроводниковых многоэлементных структур при криогенных температурах. // Контрольно-измерительные приборы и автоматика. — 2007. — № 1. — С.4–7.
Gumenjuk-Sichevskaya J. V., Sizov F. F. Currents in narrow-gap photodiodes // Semicond. Sci. Tech. — 1999. — № 14. — С.1–8 .
Vishnyakov V. S.. Varavin M. O., Garififulin A. V. Predein V. G., Remesnik, Sabinina I. V. and Sidorov G. Yu. Effect of Post-Implantaion Annealing on the Current-Voltage Characteristics of IR Photodiodes Based on p-HgCdTe // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. — 2009. — Vol. 45, No. 4. — pp. 308–315.
Любченко А. В., Сальков Е. А., Сизов Ф. Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. — К.: Наук. думка, 1984. — 254с.
Овсюк В. Н., Васильев В. В., Талипов Н. Х., Ромашко Л. Н., Козлов А. И., Клименко А. Г., Марчишин И. В. Фотоприемные устройства на основе слоев КРТ, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. — Новосибирск: Наука, 2001.
В. В. Евстропов, Ю. В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров. Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n и m-s структурах АІІІВV на Si. // ФТП. — 1997. — т, 31, № 2. — с. 152–158.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
