ВПЛИВ ПРОТОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge

N. T. Pavlovska, P. G. Litovchenko, A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskyy, Yu. M. Khoverko, A. Ya. Karpenko, V. M. Tsmots, Yu. V. Pavlovskyy

Анотація


Вивчено вплив протонного опромінення та сильних магнітних полів на електропровідність та магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в інтервалі температур 4,2–300 К. Виявлено зменшення опору кристалів у температурній області 4,2–40 К в процесі опромінення малими дозами протонів та істотне збільшення опору у всій дослідженій температурній області при опроміненні дозою 1∙1017 р+/см2. Запропоновано інтерпретацію виявлених змін фізичних параметрів ниткоподібних кристалів.


Ключові слова


ниткоподібні кристали; кремній-германій; протонне опромінення;, електропровідність; магнітоопір

Повний текст:

PDF

Посилання


Дружинін А. О., Островський І. П., Когут Ю. Р., Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердих розчинів у сенсорній електроніці: Монографія. — Львів, В-во НУ «Львівська політехніка, 2010. — 200 с.

Druzhinin A. A., Dolgolenko A. P., Ostrovskii I. P., Khoverko Yu.M., Kogut Iu.R., Thermoelectric sensors based on Gex Si1-x whiskers // Journal of Thermoelectricity. — 2009. — №4. — P. 82–85.

Дружинин А. А., Марьямова И. И., Кутраков А. П., Лях-Кагуй Н. С., Маслюк В. Т., Мегела И. Г., Исследование влияния електронного облучения на кремниевые тензорезисторы // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010 — № 1 (85). — C. 26–29.

А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М. Цмоць, Ю. М. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук, Вплив опромінення γ-квантами на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge // Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т.11, №1. — С. 89–92.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116161

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)