ПЕРЕБУДОВА ДЕФЕКТІВ В ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ СТРУКТУРАХ Bi-Si-Al СТИМУЛЬОВАНА ДІЄЮ РАДІАЦІЇ

Автор(и)

  • B. V. Pavlyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • A. S. Hrypa Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • D. P. Slobodzyan Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • R. M. Lys Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • R. I. Didyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • J. A. Shykoryak Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116316

Ключові слова:

рентгенівське опромінення, поверхнево-бар’єрна структура, ВАХ, ВФХ, дефекти, питомий опір

Анотація

В даній роботі було сформовано поверхнево-бар’єрні структури на базі кристалів кремнію з різними питомими опорами (ρ1 = 24 Ом∙см, ρ2 =10 Ом∙см) та досліджено зміну їх електрофізичних характеристик під дією X-променів. Показано, що в залежності від дефектної структури кремнієвої підкладки, дія радіації приводить до генерації нових дефектів або зміни зарядового стану існуючих і як наслідок — змінюється механізм струмоперенесення в опромінених структурах.

Посилання

Борковская О. Ю., Дмитрук П. Л., Литовченко В. Г., Эффект радиационного упорядочения

в гетеропереходах (n-Si)-(p-GaP)//ФТП. — 1984. — Т.18,№10. — С.1808–1810.

Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Ашуров М., Саидов Р. П., Мартынченко С. В., Об особенностях

образования радиационных дефектов в кремниевых структурах// ЖТФ. — 1999. — Т.69, №1. — С. 121–123.

Марченко И. Г., Жданович Н. Е., Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрическии параметры кремниевых p-n-структур// Письма в ЖТФ — 2010. — Т.36, №10. — С.45–51.

Калинина Е. В., Коссов В. Г., Яфаев Р. Р., Стрельчук А. М., Виолина Г. Н., Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p+-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием//ФТП — 2010. — Т.44, №6. — С.807–815.

Павлик Б. В., Грипа А. С., Лис Р. М., Слободян Д. П., Дідик Р. І., Шикоряк Й. А., Особливості електрофізичних характеристик поверхнево-бар’єрних структур на базі кристалів p-Si// ФХТТ — 2009. — Т.10, №4. — С. 935–938.

Пека Г. П., Стріха В. І., Поверхневі та контактні явища в напівпровідниках. — К.:Либідь, 1992. — 240 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-11-23

Номер

Том 7 № 4 (2010)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.