КІНЦЕВО-ЕЛЕМЕНТНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО МОДУЛЯ ТИСКУ

Автор(и)

  • Victor A. Gridchin Новосибірський державний технічний університет, Russian Federation
  • Michail A. Chebanov Новосибірський державний технічний університет, Russian Federation

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116319

Ключові слова:

кінцево-елементне моделювання, сенсор тиску, сингулярна точка

Анотація

Використовуючи техніку кінцево-елементного моделювання, досліджено вплив сингулярних точок на розподіл напруг у п’єзорезистивному модулі. Показано сильний вплив сінгулярностей на розподіл напруг на інтерфейсі кремній-скло.

Посилання

G. Gerlach, W. Doetzel, Einfueruug in die mikrosystem technik, Hauser Verlag, 2006, 384 p.

Semiconductor Sensors, Ed. S. M. Sze, A Wiley-Interscience Publication, 1994, 549 p.

W. C. Carpenter. A collocation procedure for determining fracture mechanics parameters at a corner, Int. J. Fracture 24(1984), pp. 255–266.

A. Chouaf, Ch. Malhaire, M. Le Berre, M. Dupeux, F. Pourroy, D. Barbier, Stress analysis at singular

points of micromachined silicon membranes — Sensor and Actuators 84, (2000), pp. 109 -115.

Y. Matsuoka, Y. Yamamoto, K. Yamada, S. Shimada, M. Tanabe, A. Yasukawa, H. Matsuzaka, Characteristic analysis of a pressure sensor using the silicon piezoresistance effect for high-pressure measurements.

V. A. Gridchin, V. P. Dragunov, Physics of Microsystems, v.1, Novosibirsk, NSTU, 2004, p. 415.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-11-23

Номер

Том 7 № 4 (2010)

Розділ

Акустоелектронні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.