ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ CuInAsSe3 ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ ТА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116320Ключові слова:
халькогеніди, сегнетоелектрики, електричні властивості, високі тиски, імпедансна спектроскопіяАнотація
Представлено результати експериментальних досліджень по впливу високих тисків (12–45 ГПа) і низьких температур (10–300 K) на електричні властивості напівпровідника CuInAsSe3. Визначені області температур і тисків, у яких відбуваються істотні зміни в поводженні електричних властивостей сполуки. При атмосферному тиску спостерігається максимум на температурній залежності діелектричної проникності в області 160–200 К, що може бути пов'язане із сегнетоелектричним переходом. Встановлено, що при кімнатнійтемпературі зі збільшенням тиску в інтервалі 34–37 ГПа опір матеріалу різко зменшується і перестає залежати від частоти прикладеної напруги при подальшому збільшенні тиску, тангенс кута втрат швидко зростає після 37 ГПа, що вказує на можливі структурні перетворення та зміну електронної структури. Ці зміни є незворотними. Властивості сполуки дозволяють висловити пропозиції по використанню його як матеріалу для датчиків тиску і температури.
Посилання
Baranova E. R., Kobelev V. L., Kobeleva O. L. et al B ., Electric conductivity and dielectric permittivity of
mixed electronic-ionic ceramic in conductivity compounds (BS)1-x(DAsS2)x, (B=Ge,Pb; D=Ag,Cu) // Solid State Ionics. — 1999. — V.124, P. 255–261.
Baranova E. R., Kobelev V. L., Kobeleva O. L. et al., Ionic conductivity in (AS)1-x (AgSbS2)x, (A=Ge,Sn,Pb) // Solid State Ionics. — 2002. — V.146, № 3–4. — P. 415–421.
Хейфец О. Л., Бабушкин А. Н., Шабашова О. А. Мельникова Н. В., Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (х=0.1–0.9) // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, №2/3. — С. 374–377.
Хейфец О. Л., Кобелев Л. Я., Мельникова Н. В., Нугаева Л. Л., Электрические свойства твердых электролитов с общей формулой ABCD3 (A=Ag,Cu; B=Pb,Sn; C=As,Sb; D=S,Se) // Журнал технической физики. — 2007. — T.77, № 1. — С.90–96.
Мельникова Н. В., Хейфец О. Л., Бабушкин А. Н., Ионные и электронно-ионные многокомпонентные материалы с проводимостью по ионам серебра и меди // Альтернативная энергетика и экология. — 2007. — №. 5. — C. 56–63.
Хейфец О. Л., Мельникова Н. В., Шабашова О. А., Бабушкин А. Н. Материалы на основе сложных халькогенидов для низкотемпературных источников тока // Альтернативная энергетика и экология. — 2007. — № 5. — C. 40–44.
Мельникова Н. В., Хейфец О. Л., Шабашова О. А., Бабушкин А. Н., Чистяков О. Ф., Структура и электрические свойства халькогенида меди CuInAsSe3 // Сборник трудов 11-го междунар. симпоз. "Упорядочение в минералах и сплавах" (OMA «Ordering in minerals and alloys»). — Том 2. — Ростов на Дону-пос.Лоо :НИИ Физики ЮФУ РАН. — 2008. — С.58–59.
Верещагин Л. Ф., Яковлев Е. Н., Степанов Г. Н. и др., Давление 2,5 Мегабары в наковальнях, изготовленных из алмаза типа карбонадо // Письма в ЖЭТФ. — 1972. — Т. 16, №4. — С.240–241.
Гуничева Ю. А., Бабушкин А. Н., Шкерин С. Н., Исследование электрофизических свойств серы при сверхвысоких давлениях методом импедансной спектроскопии // Неорганические материалы. — 2001. — Т. 37, № 7. — C. 796–799.
Мельникова Н. В., Бабушкин А. Н., Савина О. В., Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т.19, № 1. — С.63–68.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
