DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116320

ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ CuInAsSe3 ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ ТА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

N. V. Melnikova, O. L. Kheifets, A. N. Babushkin, K. V. Kurochka

Анотація


Представлено результати експериментальних досліджень по впливу високих тисків (12–45 ГПа) і низьких температур (10–300 K) на електричні властивості напівпровідника CuInAsSe3. Визначені області температур і тисків, у яких відбуваються істотні зміни в поводженні електричних властивостей сполуки. При атмосферному тиску спостерігається максимум на температурній залежності діелектричної проникності в області 160–200 К, що може бути пов'язане із сегнетоелектричним переходом. Встановлено, що при кімнатнійтемпературі зі збільшенням тиску в інтервалі 34–37 ГПа опір матеріалу різко зменшується і перестає залежати від частоти прикладеної напруги при подальшому збільшенні тиску, тангенс кута втрат швидко зростає після 37 ГПа, що вказує на можливі структурні перетворення та зміну електронної структури. Ці зміни є незворотними. Властивості сполуки дозволяють висловити пропозиції по використанню його як матеріалу для датчиків тиску і температури.


Ключові слова


халькогеніди; сегнетоелектрики; електричні властивості; високі тиски; імпедансна спектроскопія

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Baranova E. R., Kobelev V. L., Kobeleva O. L. et al B ., Electric conductivity and dielectric permittivity of

mixed electronic-ionic ceramic in conductivity compounds (BS)1-x(DAsS2)x, (B=Ge,Pb; D=Ag,Cu) // Solid State Ionics. — 1999. — V.124, P. 255–261.

Baranova E. R., Kobelev V. L., Kobeleva O. L. et al., Ionic conductivity in (AS)1-x (AgSbS2)x, (A=Ge,Sn,Pb) // Solid State Ionics. — 2002. — V.146, № 3–4. — P. 415–421.

Хейфец О. Л., Бабушкин А. Н., Шабашова О. А. Мельникова Н. В., Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (х=0.1–0.9) // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, №2/3. — С. 374–377.

Хейфец О. Л., Кобелев Л. Я., Мельникова Н. В., Нугаева Л. Л., Электрические свойства твердых электролитов с общей формулой ABCD3 (A=Ag,Cu; B=Pb,Sn; C=As,Sb; D=S,Se) // Журнал технической физики. — 2007. — T.77, № 1. — С.90–96.

Мельникова Н. В., Хейфец О. Л., Бабушкин А. Н., Ионные и электронно-ионные многокомпонентные материалы с проводимостью по ионам серебра и меди // Альтернативная энергетика и экология. — 2007. — №. 5. — C. 56–63.

Хейфец О. Л., Мельникова Н. В., Шабашова О. А., Бабушкин А. Н. Материалы на основе сложных халькогенидов для низкотемпературных источников тока // Альтернативная энергетика и экология. — 2007. — № 5. — C. 40–44.

Мельникова Н. В., Хейфец О. Л., Шабашова О. А., Бабушкин А. Н., Чистяков О. Ф., Структура и электрические свойства халькогенида меди CuInAsSe3 // Сборник трудов 11-го междунар. симпоз. "Упорядочение в минералах и сплавах" (OMA «Ordering in minerals and alloys»). — Том 2. — Ростов на Дону-пос.Лоо :НИИ Физики ЮФУ РАН. — 2008. — С.58–59.

Верещагин Л. Ф., Яковлев Е. Н., Степанов Г. Н. и др., Давление 2,5 Мегабары в наковальнях, изготовленных из алмаза типа карбонадо // Письма в ЖЭТФ. — 1972. — Т. 16, №4. — С.240–241.

Гуничева Ю. А., Бабушкин А. Н., Шкерин С. Н., Исследование электрофизических свойств серы при сверхвысоких давлениях методом импедансной спектроскопии // Неорганические материалы. — 2001. — Т. 37, № 7. — C. 796–799.

Мельникова Н. В., Бабушкин А. Н., Савина О. В., Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т.19, № 1. — С.63–68.




Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)