DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116321

ТЕРМОДИНАМІКА ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ І ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ CdTe:І

D. M. Freik, I. V. Gorichok, U. M. Pysklynets, V. Yu. Potiak

Анотація


Представлено термодинамічний аналіз процесів дефектоутворення в легованому йодом кадмій телуриді. Методом термодинамічних потенціалів розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів у кристалах CdTe:І від технологічних параметрів двотемпературного відпалу. Встановлено тип домінуючих власних і домішкових точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Показано, що компенсаційна модель крім дефектів заміщення Te I + , їх комплексів з власними точковими дефектами 2 ( ) V I Cd Te −+− , 2 0 ( 2) V I Cd Te − + враховує також утворення DX– -центрів.


Ключові слова


кадмій телурид; двотемпературний відпал; електричні властивості; точкові дефекти

Повний текст:

PDF

Посилання


K. Mochizuki. Growth of CdTe from Te excess solution and self-compensation of doped donor / Mochizuki K. // Journal of Crystal Growth. — 2000. — V. 214/215. — P. 9–13.

Kauppineny H. Identification of cadmium vacancy complexes in CdTe(In), CdTe(Cl) and CdTe(I) by

positron annihilation with core electrons / H. Kauppineny, L. Barouxz, K. Saarineny [a. oth.] // J. Phys.:

Condens. Matter. — 1997. — V. 9 — P. 5495–5505.

T. A. Kuhn. Evidence of a deep donor in CdTe / T. A. Kuhn, W. Ossau, A. Waag [a. oth.] // J. Crystal Growth. — 1992. — 117. — P. 660–663.

R. Legros. Description of anomalous centers in chlorine doped-CdTe by a non-purely electronic model /

R. Legros, Y. Marfaing R. Triboulet // J. Phys. Chem. Solids — 1978. — V. 39. — P. 179–184.

S. Lany. Density functional theory calculations establish the experimental evidence of the DX center

atomic structure in CdTe / S. Lany, H. Wolf, T. Wichert // Phys. Rev. letters. — 2004. — V. 92, № 22. — P. 2255041–2255044.

W. Su-Huai. Chemical trends of defect formation and doping limit in II-VI semiconductors: The case of CdTe / W. Su-Huai, S. Zhang // Phys. Rev. — 2002. — V. B66. — P. 1552111–15521110.

С. А. Медведєв. Физика и химия соединений АIIBVI / С. А. Медведев. — М.: Мир, 1970. — 624 c.

Л. Жирифалько. Статистическая физика твердого тела / Л. Жирифалько –M.: Наука, 1985. — 386 с.

V. V. Prokopiv. Thermodynamics analysis of defects created processes in the crystals of cadmium telluride in the conditions of high temperature annealing / V. V. Prokopiv, P. M. Fochuk, I. V. Gorichok, E. V. Vergak. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т.12, № 13. — Р. 412–416 .

Ю. Б. Румер. Термодинамика, статистическая физики и кинетика / Ю. Б. Румер, М. Ш. Рывкин. — M.: Наука, 1972. — 400 c.

П. М. Фочук. Природа точкових дефектів легованого кадмій телуриду // Дис. … докт. хім. наук: 02.00.21. — Київ, 333 с. (2006).

Jaesun Lee. Low-Temperature Photoluminescence Spectroscopy from Iodine-Doped CdTe Grown by

Using Molecular Beam Epitaxy / Lee Jaesun // Journal of the Korean Physical Society — 2000. — V.36, № 3. — P. 179–181.

R. O. Bell. Binding energy of an electron to a three-defect-complex in CdTe / R.O Bell // Solid State Communications — 1975. — V.16. — P. 913–916.

Сакалас А. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях / А. Сакалас, З. Янушкявичюс. — Вильнюс: Мокслас, 1988. — 153 с.




Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)