ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ ОКИСЛЕННЯ ХАЛЬКОГЕНІДІВ ТАЛІЮ

Автор(и)

  • H. Danylyuk Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • O. Balytskii Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • V. Savchyn Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116323

Ключові слова:

окислення, оксид, халькогеніди, катодолюмінісценція (КЛ), термодинамічні параметри, електронно-мікроскопічний метод (ЕМ-EDX)

Анотація

Дослідження процесів окислення халькогенідів талію проводили з використанням методів катодолюмінесцентного (КЛ) та електронно-мікроскопічного (ЕМ) з аналізом дисперсії вторинних Х-променів (EDX). Проаналізовано термодинамічні характеристики процесів окислення.

Посилання

Case T. W. Thalofide cell-a new photo-electric substance // Physical Review. — 1920. — №15. — Р. 289–292.

Fentress J., Selwood P. W. Thallous sulfoxylate isomerism // Journal of American Chemical Society. — 1948. — № 70 — Р. 711–716.

Lovell D. J. Cashman Thallous Sulfide Cell // Applied Optics. — 1971. — № 10. — Р.1003–1008.

Dimitrov R. I., Boyanov B. S. Oxidation of metal sulphides and determination of characteristic temperatures by DTA and TG// Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. — 2000. — № 61. — Р. 181–189.

Berchenko N. N., Balitskii O. A., Lutsiv R. V., Savchyn V. P., Vasyltsiv V. I. Characteristics of phase

formation during GaSe oxidation // Materials Chemistry and Physics. — 1997. — № 51. — Р. 125–129

Balitskii O. A., Berchenko N. N., Savchyn V. P., Stakhira J. M. Characteristics of phase formation during indium selenides oxidation // Materials Chemistry and Physics. — 2000. — № 65. — Р. 130–135.

Balitskii O. A., Savchyn V. P., Savchyn P. V., Fiyala Ya.M. Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air// Functional Materials. — 2005. — № 12. — Р. 206– 211.

Balitskii O. A., Savchyn V. P., Savchyn P. V. Thermal oxidation of indium and gallium sulphides// Physica B. — 2005. — № 355. — Р. 365–369.

Pankajakshan V. S., Neelakandan K., Menon C. S. Thallium thin film oxidation investigated by an optical absorption method// Thin Solid Films. — 1989. — № 168. — Р.165–168.

Giester G., Lengauer C. L., Tillmanns E., Zemann J. Tl2 S:Re-determination of crystal structure and stereochemrical discussion// Journal of Solid State Chemistry. — 2002. — № 168. — Р. 322–330.

Tsirlina G. A., Safonova O. V., Petrii O. A. Thermodynamical analysis of non-stoichiometric thallium oxides and reactivity prediction for electrosynthesis// Electrochimica Acta. — 1997. — № 42. — Р. 2943–2946.

Рабинович В. А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник // Изд. 2-у, М.: Химия, 1978. — 392 с.

Liu J. — F., Wang S. — X., Yang K. — Z. Electrodeposition and characterization of thallium(III) oxide

films// Thin Solid Films. — 1997. — № 298. — Р. 156–159.

Estrella V., Nair M. T. S., Nair P. K. Crystalline structure of chemically deposited thallium sulfide thin films// Thin Solid Films. — 2002. — № 414. — Р. 289–295.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-11-23

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів