ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ ПТ СТРУКТУР З ШАРОМ КТ В ПІДЗАТВОРНІЙ ОБЛАСТІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.116330Ключові слова:
польові транзистори, квантові точки, GaAs/AlGaAsАнотація
В даній статі досліджувалися структури польових транзисторів (ПТ) з шаром
квантових точок (КТ), розташованим близько до каналу з високою електронною рухливістю на гетерограниці GaAs/AlGaAs. Було показано, що електричний заряд, що акумулюється в шарі КТ, може суттєво змінювати значення порогової напруги необхідної для відкривання каналу. Через кінетичну природу процесів захоплення та емісії в КТ диференціальна ємність, виміряна між витоком та затвором, має специфічний вигляд з кількома максимумами на С-V кривій в залежності від частоти тестового сигналу. Завдяки впливу накопичення заряду
в КТ коефіцієнт передачі для транзистору з шаром КТ в підзатворній області демонстру є ефект динамічної зміни провідності каналу.
Посилання
Balocco C., Song A. M., Missous M.. Room-temperature operations of memory devices based on selfassembled InAs quantum dot structures // Appl. Phys. Lett. — 2004. Vol. 88, P. 5911–5913.
Chiquito A. J., Pusep Yu.A. et al. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots embedded in a GaAs/AlAs superlattice // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol.88, No.4. — P. 1987–1991.
Chiquito A. J., Pusep Yu. A., Mergulhao S., and Galzerani J. C. Capacitance-voltage profile in a structure with negative differential capacitance caused by the presence of InAs/GaAs self-assembled quantum dots // Phys.Rev. — 2000. — Vol. 61, P. 5499 -5504.
Lin S. D., Ilchenko V. V., Marin V. V.et al. Observation of the negative differential capacitance in Schottky diodes with InAs quantum dots near room temperature// Appl. Phys. Lett. 2007. — Vol.90, P. 263114(1–3).
Ilchenko V. V., Lin S. D., Marin V. V., Shkil N. V., Panarin K. Y., Buyanin A. A., Tretyak O. V. Room temperature negative differential capacitance in selfassembled quantum dots. — Journal of Physics D: Appl. Phys. 2008. — Vol. 41, p.p. 235107(1–4).
Chen J. F., Chen C. C., Chiang C. H., Chen Y. F., Wu Y. H. and Chang L. Bimodel onset strain relaxation in InAs quantum dots with an InGaAs capping layer. — Applied Phys. Lett. 2010. — Vol. 97, p.p. 092110(1–3).
Ilchenko V. V., Lin S. D., Lee C. P., Tretyak O. V. Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. // Journ. Appl. Phys., 89, No.2, 2001, 1172–1174.
Ilchenko V. V., Lin S. D., Marin V. V., Tretyak O. V. Electrical properties of FET structures with QDs layer. Proceedeing of IV Ukrainian scientific conference on physics of semiconductors (Zaporizhyà, 15–19 of September 2009ð). V.1. p.p.108–109.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
