СЕЛЕКТИВНЕ ТРАВЛЕННЯ КРИСТАЛІВ p-InP З НАНЕСЕНІМІ НА НИХ ПОДРЯПИНАМИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.1.116361Ключові слова:
поруватий фосфід індію, дислокації, фотоелектрохімічне травленняАнотація
В роботі представлено методику отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію р-типу, яка полягає в фотоелектрохімічному травленні кристалу. Для визначення залежності утворення пор від дефектів, на досліджувані зразки наносили подряпини, які спеціально виготовлялися з нерівними краями для дослідження руху дислокацій вздовж механ ічних дефектів. При пошкоджені кристалу механічним шляхом відбувається «стікання» дислокацій та дефектів до подряпаних ділянок, що в свою чергу ініціює ріст пор під час травлення.
Посилання
Unagami T., Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc. — 1980. — V.127. — P. 476–483.
Зимин С. П., Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. — 2000. — Т.34, N3. — С. 359–363.
Langa S., Carstensen J., Christophersen M., Foll H., Tiginyanu I. M., Observation of crossing pores in anodically etched n-GaAs // Appl. Phys. Lett. — 2001. — V.78, N8. — P. 1074–1076.
Schmuki P., Lockwood D. J., Labbe H. J., Fraser J. W., Visible photoluminescence from porous GaAs. // Appl. Phys. Lett. — 1996. — V. 69, N11. — P.1620–1622.
Spiecker E., Rudel M., Jager W., Leisner M., Foll H., Morphology, interface polarity and branching of electrochemically etched pores in InP // Phys. Stat. Sol. (a). — 2005. — V. 202, N15. — P. 2950–2962.
Hasegawa H., Sato T., Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III–V semiconductor nanostructures // Electrochim. Acta. — 2005. — V.50, N15. — P. 3015–3027.
Langa S., Frey S., Carstensen J., Foll H., Tiginyanu I. M., Hermann M., Bottgerd G., Waveguide Structures Based on Porous Indium Phosphide //
Electrochem. Solid-State Lett–. 2005. — V.8, N2, – P.30–32.
Улин В. П., Конников С. Г., Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V // ФТП. — 2007. — Т.41, № 7. — C.854–867.
Schlierf U., Lockwood D. J., Grahamb M. J., Schmuki P., Structural and optical properties of p-InP(1 0 0) anodized in halogenic acids // Electrochimica Acta. — 2004. — V.49. — P. 1743–1749.
Hueppe M., Schlierf U., Gassiloud R., Michler J., Schmuki P., Elektrochemical structuring of mechanically activated n-InP (100) surfaces // Phys. Stat. Sol. (c). — 2005. — V.2, N9. — P. 3359–3364.
Masahiro Seo, Tadafumi Yamaya. Selective formation of porous layer on n-type InP by anodic etching combined with scratching // Electrochimica Acta. — 2005. — V. 51. — P. 787–794.
Langa S., Carstensen J., Christophersen M., Steen K., Frey S., Tiginyanu I. M, and Foll H.. Uniform and Nonuniform Nucleation of Pores during the Anodization of Si, Ge, and III-V Semiconductors // Journal of The Electrochemical Society. — 2005. — V.152, N 8. — P. 525-C531.
Taketomo Sato, Toshiyuki Fujino and Hideki Hasegawa. Self-Assembled Formation of Uniform InP Nanopore Arrays by Eelectrochemical
Anodization in HCl based Electrolyte // Applied Surface Science. — 2006. — V. 252. — P.5457–5461.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
