DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.116426

ІНФОРМАЦІЙНИЙ ЧИННИК АКУСТИЧНОЇ ДІЇ НА СТРУКТУРУ ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ У НАПІВПРОВІДНИКАХ

Я. М. Оліх, О. Я. Оліх

Анотація


За характером дії акустичної хвилі (АХ) та за функціональними можливостями застосування відомі акустостимульовані (АС) ефекти в напівпровідникових кристалах розділено на три класи: а)динамічні, які спостерігаються в процесі акустичного навантаження зразка і є результатом генерації та переорієнтації дефектів кристалу деформаційним полем АХ; б)залишкові АС ефекти, які досягаються тривалою (102–104с) акустичною обробкою зразка і є наслідком АС дифузії точкових дефектів; в)інформаційні, які виникають при одночасній з АХ дії на зразок іншого високоенергетичного агента; роль АХ зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації нерівноважної структури дефектів. З позицій синергетики дисипативних структур розглянуто характерні прикмети та умови реалізації інформаційного чинника дії АХ на структуру дефектів кристала.


Ключові слова


акустичні хвилі; акустостимульовані ефекти; напівпровідник; синергетика

Повний текст:

PDF

Посилання


Ультразвук. Маленькая энциклоп. Под. ред. И. П. Голямина. М.: Сов. Энциклоп., 1979.

Островский И. В. Акустолюминисценция и дефекты кристаллов. — К. : Вища школа, 1993. — 223с.

Olikh Ja. M., Olikh O. Ya.. Active ultrasound effects and their future usage in sensor electronics // Сенсорна Електроніка і Мікросистемні Технології. — 2004, № 1, С. 19–29

Бабенцов Б. Н., Горбань С. И., Городецкий И. Я., Корсунская Н. Е., Раренко И. М., Шейкман М. К. Влияние УЗ обработки на экситонную

и примесную люминесценцию CdTe// ФТП. — 1991. — Т.25, № 7. — С.1243–1245.

Баранский П. И., Беляев А. Е., Комиренко С. М., Шевченко Н. В. Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов // ФТТ. — 1990. — Т. 32, –№ 7. — С. 2159–2161.

Ostapenko S., Bell R. US stimulated dissociation of Fe-B pair in silicon // J. Appl. Phys. — 1995. — Vol. 77, N10. — P. 5458–5460.

Мачулін В. Ф. Акустоелектронні та акустойонні технології/ В. Ф. Мачулін, Я. І Лепіх, Я. М. Оліх., Б. М. Романюк //Ж. Вісник НАН України. — 2007. — № 5. — С.3–8.

Олих О. Я. Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения //

ФТП. 2009, 43, 774 -780.

Оліх Я. М. Вплив ультразвуку на формування домішково-дефектної струектури кремнію в процесі йонно-променевої імплантації // Нові

технології. Науковий вісник КУЕІТУ. — 2010. — № 1 (27). — С. 124–130.

Гонтарук О. М., Мачулин В. Ф., Оліх Я. М., Корбутяк Д. В., Корбут Е. В., Тартачник В. П.. Деградационно-релаксационные явления в светоизлучающих p-n структурах на основе фосфида галия, стимулированные УЗ// Письма в ЖТФ, 1998, — Т. 24, № 15, — С.64–68.

Любченко А. В., Олих Я. М.. Электрические эффекты, стимулированные колебательной деформацией, в CdXHg1-XTe. //Физика твердого тела. — 1985. Т.27, в.8, стр. 2505–2506.

Оліх О. Я. Особливості впливу нейтронного опромінення на динамічну акустодефектну взаємодію у кремнієвих сонячних елементах //

Ukrainian Journal of Physics. — 2010, Vol.55, N 7, p.769–775.

Kruger D., Romanyuk B., Melnik V., Olikh Ja., and Kurps R. Influence of in-situ ultrasound treatment during ion implantation on amorphization and junction formation in silicon. // J. Vac.Sci.Technol. — 2002. V B20 , N 4, p.1–4.

Romanyuk B., V. Kladko, Ya.Olikh, et al. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported by in situ us treatments// Mater. Sci. in Semicond. Processing,- 2005, 8 (4), pp.171–175.

Romanyuk A., Oelhafen P., Kurps R., Melnik V. Use of ultrasound for metal cluster engineering in ion implanted silicon oxide // Appl. Phys. Lett. — 2007, v.90, pp. 013118.

Light emission from nanocrystalline silicon clusters embedded in silicon dioxide: Role of the suboxide states/ Romanyuk А., Melnik V., Olikh Yа., et.al. // Journal of Luminescence. — 2010. — V.130. —№ 1. — P.87–91.

Olikh Ya.M., Tartachnik V. P., Tichyna I. I., Vernidub R. M. Termoacoustic annealing of radiation-induced defects in indium-phosphide crystals //

The proceeding of 5th conference «Acoustoelectronics’91». — Varna (Bulgaria). — 1991. — P. 95–96.

Оліх Я. М., Савкіна Р. К. Акустостимульований зсув температури інверсії знака коефіцієнта Холла у радіаційно-легованих кристалах германію // Український фізичний журнал.. — 1997. — Т.42, № 11–12. — С.1385–1389.

Олих Я. М., Н. Д. Tимочко. Прямое наблюдение релаксации проводимости в gamma-облученном кремнии под влиянием импульсов ультразвука // Письма в Журнал техническ. физики. — 2011. — Т.37. — В. 1. — С. 78–84.

Венгер Е. Ф., Ермолович И. Б., Миленин В. В., Конакова Р. В., Чайка Г. Е. Влияние внешних радиационных, СВЧ- и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических

кристаллах // Вопросы атомной науки и техники. — 1999. — В. 3 № 75. — С. 60–72.

Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. — Москва: Мир, 1979.

Анищенко В. С., Нейман А. Б., Мосс Ф., Шиманский-Гайер Л., Стохастический резонанс как индуцированный шумом эффект увеличения степени порядка // УФН. — 1999. — Т.169. — В. 1. — С.7–38.

Сугаков В. Й. Основи синергетики. — Київ: Обереги, 2001.

Слабко В. В., Хачатрян Г. Г., Александровский А. С. Управляемая внешним световым полем самоорганизованная агрегация малых металлических частиц // Письма в ЖЭТФ. — 2006. — Т.84. — В.6. — С.360–364.

Бушуева Г. В., Зиненкова Г. М., Тяпунина Н. А., Дегтярев В. Т., Лосев А. Ю, Плотников Ф. А. Самоорганизация дислокаций в ультразвуковом поле // Кристаллография. — 2008. — Т.53. — В.3. — С.507–511.




Copyright (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)