ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ НА ПРОЦЕСИ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЕННЯ ЕНЕРГІЇ В КРЕМНІЄВИХ ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.116602Ключові слова:
кремнієва фоточутлива структура, поверхнева рекомбінація, приповерхневий ізотипний перехід, пасиваціяАнотація
Експериментально досліджений вплив приповерхневого ізотипного n+-nпереходу сформованого біля фронтальної поверхні на рекомбінаційні характеристики кремнієвих фоточутливих структур. Показано, що присутність приповерхневого ізотипного переходу в таких структурах забезпечує малу швидкість ефективної поверхневої рекомбінац ії навіть у випадку незапасивованої поверхні. Встановлено, що після стравлення сильнолегованої n+-області приповерхневого ізотипного n+-n-переходу ефективна швидкість поверхневої рекомбінації збільшується внаслідок того, що домінуючими рекомбінаційними механізмами стають рекомбінація через поверхневі рекомбінаційні центри та рекомбінація в області просторового заряду шару виснаження.
Посилання
Горбань А. П., Литовченко В. Г. Исследование токов, управляемых поверхностным пространственным зарядом, в эффекте поля и МОПструктурах // Укр. физич. журн. — 1967. — Т.12, № 7. — С.1069–1082.
Wolf M. High-efficiency silicon solar cells. — Proc. 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. — San Diego, USA, 1980. — P.674–679.
Green M. A. Silicon solar cells: evolution, high-efficiency design end efficiency enhancement // Semicond. Sci. Technol. — 1993. — Vol.8, №1. — P.1–12.
Swanson R. M. Approaching the 29 % limit efficiency of silicon solar cells. — Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf. — Barcelona, Spain, 2005. — P.584–589.
Green M. A., Blakers A. W., Narayanan S., Taquk M. Improvements in silicon solar cell efficiency // Solar cells. — 1986. — V.17, N1. — P.75–83.
Kerr M. J., Campbell P., Cuevas A. Lifetime and efficiency limits of crystalline silicon solar cells. — Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. — New Orleans, USA, 2002. — P.438–441.
Glunz S. W., Sproul A. B., Warta W., Wettling W. Injection-level-dependent recombination velocities at the Si-SiO2 interface for various dopant concentrations // J. Appl. Phys. — 1994–75, N3. — P.1611–
Kampwerth H., Rein S., Glunz S. Accurate determination of bulk lifetime and surface recombination velocity // Proc. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf. — Paris, France, 2004. — P.733–737.
Swanson R. M. Point-contact solar cells: modeling and experiment // Solar cells. — 1986. — V.17, N1. — P.85–118.
Вплив плаваючих р-n-переходів на ефективність кремнієвих сонячних елементів із тиловими контактами / Горбань А. П., Костильов В. П., Саченко А. В. та ін. // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т.55,
№ 7. — С.784–792.
Горбань А. П., Костылёв В. П. О просветлении кремниевых поверхностно-канальных фотопреобразователей // Надежность микроэлектронных схем и элементов. — Киев: Наук. думка. — 1982. — С.87–93.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
