СЕНСОРИ З ІЗОВАЛЕНТНИМИ ДОМІШКАМИ

Автор(и)

  • М. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • В. В. Косоловський Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • О. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна https://orcid.org/0000-0002-2135-9544
  • К. С. Ул’яницький Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.117482

Ключові слова:

сенсор, ізовалентна домішка, люмінесценція, Х-проміні, дифракційне відбивання

Анотація

Обговорюється вплив ізовалентної домішки Mg на оптоелектронні властивості
широкозонних сполук CdTe, ZnSe, ZnO. Проводиться аналіз генераційно-рекомбінаційних процесів у крайовій області

Посилання

Фистуль В. И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение). — М.: Физматлит. — 2004. — 432 с.

Ozgur U., Alivov Ja.I., Liu C., Teke A., Reshchikov M. A., Dogan S., Avrutin V., Cho S. J., Morkoc H. A comprthensive review of ZnO materials

and devices // J. Appl. Phys. — 2005. — V.98. — 041301. — P.1 -103.

Махній В. П., Слетов М. М., Хуснутдинов С. В. Получение гетерослоев на подложках халькогенидов цинка // Неорганические материалы. — 2007. — 43, № 12. — С. 1–3.

Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P. Application of modulation spectroscopy for determination of

recombination center parameters // Thin Solid Films. — 2004. — 450. — P. 222–225.

Берг А., Дин П. Светодиоды / Под ред. А. Э. Юновича. — М.: Мир. — 1979. — 686 с.

Махний В. П., Слётов М. М., Демич Н. В., Слётов А. М. Особенности физических свойств гетерослоев изовалентного замещения широкозонных II-VI соединений // Междунар. науч. конф. — Минск. — 2005. — 1. — С. 385–387..

Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. — 1970. — 1–2. — P. 514–527.

Сльотов О. М. Рентгенодифракційні дослідження структурної досконалості кристалів ZnSe. // Наук. Вісник Ужгородського університету. Сер. Фізика. — 2003. Вип.. 14. — С.32–35.

Makhniy V. P., Skrypnyk N. V. Formation and Properties of n-CdO/p-CdTe Heterojunction // Telecomunication and Radio Engineereng. — 2008. —

V.67. — P. 1763 -1768.

Makhniy V. P., Melnyk V. V., Slyotov M. M., Stets O. V. Semiconductor UV — radiation detectors for biology and medicine // Proc. of SPIE. — 2006. — V.6254. — P.62541V-1–62541V-3.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-04-05

Номер

Том 8 № 2 (2011)

Розділ

Матеріали для сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.