МЕХАНІЗМИ ВІДМОВИ ТА ДЕГРАДАЦІЯ ПОТУЖНИХ СВІТЛОДІОДІВ НА ОСНОВІ НІТРИДУ ГАЛІЮ

Автор(и)

  • В. П. Велещук Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • О. І. Власенко Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • О. В. Ляшенко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Ukraine
  • М. П. Киселюк Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.117627

Ключові слова:

потужний світлодіод, GaN, вихід з ладу

Анотація

В роботі встановлені причини та механізми виходу з ладу потужних світлодіодів
на основі GaN в момент вмикання (при подачі напруги включення) за рахунок плавлення тонкого струмопідвідного контакту на основі золота. Виявлено швидку деградацію потужних світлодіодів при підвищених постійних прямих струмах.

Посилання

Шуберт Ф. Е., Светодиоды. пер. с англ. А. Э. Юновича. — М.: Физматлит, 2008. — 496 с.

Wen T. C., Chang S. J., Lee C. T., Lai W. C., Sheu J. K., Nitride-based LEDs with modulationdoped AlGaN-GaN superlattice structures // IEEE

Trans. Electron. Dev. — 2004. — Vol.51. — Р. 1743.

Велещук В. П., Власенко О. І., Ляшенко О. В., Мягченко Ю. О., Байдуллаєва А., Чуприна Р. Г., Кравцов М. В., Будов О. Д., Акустична емісія при релаксації локальних термомеханічних напруг в процесі деградації світловипромінюючих гетероструктур на основі InGaN та GaAsP // Український фізичний журнал. — 2008. — Т.53, № 3. — С. 240 -246.

Bulashevich K. A., Evstratov I. Yu., Mymrin V. F. and Karpov S. Yu., Current spreading and thermal effects in blue LED dice // Phys. Stat. Solidi (c). — 2007. — Vol.4, No 1. — P. 45–48.

Параметры полупроводниковых соединений и гетероструктур на их основе. — Електронна адреса: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/

GaN/.

Шеремет В. Н. Особенности создания и электрофизические

свойства омических контактов к нитриду галлия (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2009. — Вып.44. —

С. 41–59.

Воротинский В. А., Дадерко Н. К., Егоров Л. П. Надежность оптоэлектронных полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь,

— 136 с.

Игнатов А. Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. — М.: Эко-Трендз, 2006. — 272 с.

Шляпников Н. С. Проектирование радиоэлектронных средств. Учеб. пособ. — Ульяновский Гос. тех. университет, 2001. — 127 с.

Чумаков В. И. К рассчету деградаций в полупроводниках при импульсных перегрузках // Вестник научных трудов ХДПУ. — 2000. — Вып.93. — С.179–185.

Полищук А. Г., Туркин А. Н., Харитонов В. М. Исследование

воздействия импульсных токовых перегрузок на мощные светодиоды. Компания ПРОСОФТ, Москва, с МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, — Електронна адреса: http://ledcommunity.org.ru/lednews/reports/2008–07–15#h461–11.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-04-06

Номер

Том 8 № 2 (2011)

Розділ

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.