DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.117627

МЕХАНІЗМИ ВІДМОВИ ТА ДЕГРАДАЦІЯ ПОТУЖНИХ СВІТЛОДІОДІВ НА ОСНОВІ НІТРИДУ ГАЛІЮ

В. П. Велещук, О. І. Власенко, О. В. Ляшенко, М. П. Киселюк

Анотація


В роботі встановлені причини та механізми виходу з ладу потужних світлодіодів
на основі GaN в момент вмикання (при подачі напруги включення) за рахунок плавлення тонкого струмопідвідного контакту на основі золота. Виявлено швидку деградацію потужних світлодіодів при підвищених постійних прямих струмах.


Ключові слова


потужний світлодіод; GaN; вихід з ладу

Повний текст:

PDF

Посилання


Шуберт Ф. Е., Светодиоды. пер. с англ. А. Э. Юновича. — М.: Физматлит, 2008. — 496 с.

Wen T. C., Chang S. J., Lee C. T., Lai W. C., Sheu J. K., Nitride-based LEDs with modulationdoped AlGaN-GaN superlattice structures // IEEE

Trans. Electron. Dev. — 2004. — Vol.51. — Р. 1743.

Велещук В. П., Власенко О. І., Ляшенко О. В., Мягченко Ю. О., Байдуллаєва А., Чуприна Р. Г., Кравцов М. В., Будов О. Д., Акустична емісія при релаксації локальних термомеханічних напруг в процесі деградації світловипромінюючих гетероструктур на основі InGaN та GaAsP // Український фізичний журнал. — 2008. — Т.53, № 3. — С. 240 -246.

Bulashevich K. A., Evstratov I. Yu., Mymrin V. F. and Karpov S. Yu., Current spreading and thermal effects in blue LED dice // Phys. Stat. Solidi (c). — 2007. — Vol.4, No 1. — P. 45–48.

Параметры полупроводниковых соединений и гетероструктур на их основе. — Електронна адреса: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/

GaN/.

Шеремет В. Н. Особенности создания и электрофизические

свойства омических контактов к нитриду галлия (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2009. — Вып.44. —

С. 41–59.

Воротинский В. А., Дадерко Н. К., Егоров Л. П. Надежность оптоэлектронных полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь,

— 136 с.

Игнатов А. Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. — М.: Эко-Трендз, 2006. — 272 с.

Шляпников Н. С. Проектирование радиоэлектронных средств. Учеб. пособ. — Ульяновский Гос. тех. университет, 2001. — 127 с.

Чумаков В. И. К рассчету деградаций в полупроводниках при импульсных перегрузках // Вестник научных трудов ХДПУ. — 2000. — Вып.93. — С.179–185.

Полищук А. Г., Туркин А. Н., Харитонов В. М. Исследование

воздействия импульсных токовых перегрузок на мощные светодиоды. Компания ПРОСОФТ, Москва, с МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, — Електронна адреса: http://ledcommunity.org.ru/lednews/reports/2008–07–15#h461–11.




Copyright (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)