DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2020.1.198924

ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР

М. А. Глауберман, Я. І. Лепіх

Анотація


Напівпровідникові магніточутливі транзисторні структури (МТС), як показали дослідження, можуть бути основою ефективних сенсорів магнітного поля, а також сенсорами інших фізичних величин. Однак практичне застосування таких сенсорів вимагає для забезпечення високих метрологічних характеристик дослідження впливу дестабілізуючих чинників на самі МТС. В числі основних таких чинників є температура. Вплив її настільки помітний, що залежність параметрів МТС від неї можуть бути використаними для сенсорів інших фізичних величин.

Дослідженню впливу температури на характеристики МТС присвячено ряд робіт. Однак вони носять несистемний характер і різняться певними відмінностями результатів і не завжди мають достатнє порівняння з теорією і пояснення природи та механізмів температурного впливу. В даній роботі ставиться задача послідовного і системного вивчення означених питань з метою більш повного знання про вплив температури на характеристики МТС.

Наводяться температурні експериментальні і теоретичні залежності коефіцієнтів передачі струму в дрейфових МТС (ДМТС) в магнітному полі, залежність координати ділянки максимальної магніточутливості від температури та залежність магніточутливості ДМТС від температури для фізичних матеріалів.

Аналізуються механізми впливу температури на МТС, залежність їх характеристик, зокрема перетворювальних параметрів з позицій можливого використання в сенсорах.


Ключові слова


магніточутливі транзисторні структури; напівпровідник; температура; магнітне поле; сенсори

Повний текст:

PDF

Посилання


Ya. I. Lepikh, V. A. Smyntyna, V. F. Machulin. Investigations and achievements in sensorics area in 2008-//-Sensor electronics and microsystem technologies. - 2009. -№ 3. -P. 5-9.

Lepikh Ya. I., Dziadevych S. V., Druzhynyn A. O. ta in. Stvorennia mikroelektronnykh datchykiv novoho pokolinnia dlia intelektualnykh system-//-Monohraf. za redakts. Ya. I. Lepikh. - Odesa. -Astroprynt. - 2010. -289 s.

Lepikh, Ya., Machulin V., Lytovchenko V. ta in. Sensoryka – perspektyvnyi napriam rozvytku suchasnykh intelektualnykh informatsiinykh system-//-Visnyk NAN Ukrainy, 2010, No 11. - S. 27-29.

Kozlovskij S. I. Kremnievyj dvukhkollektornyj n-p-n tenzotranzistor s uskoryayushchim elektricheskim polem v baze // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 1995. - T. 29, No. 10. - S. 1783-1789.

An Investigation of the Temperature Dependence of the Residual Signal of Dual-Collector Magnetotransistors / M. Glauberman, N. Kanischeva, V. Kozel, I. Vikulin, V. Yegorov // Workshop "Sensors Springtime in Odessa", Techn. Dig. - Odesa, 1999. - P. 59-60.

M. A. Glauberman, V. V. Egorov, N. A. Kanishcheva, V. V. Kozel, L. YU. Stankova. Vliyanie vneshnikh faktorov na parametry magnitotranzistornykh struktur // Fotoelektronika (Odesa). - 2000. - No. 9. - C. 79-85.

Druzhynin A. O., Ostrovkyi O. P., Liakh N. S. Mahnitoopir nytkopodibnykh krystaliv Ge-Si // Fizyka i Khimiia tverdoho tila. - 2003. -T. 4, No 3. - S. 485-490.

Patent na korysnu model No22368, Ukraina MPK G01K 7/00. Chutlyvyi element mikroelektronnoho termorezystyvnoho sensora dlia vymiriuvannia kriohennykh temperatur v sylnykh mahnitnykh poliakh / Druzhynin A. O., Mariamova I. Y., Kohut I. T., Khoverko Yu. M.; Natsionalnyi universytet «Lvivska politekhnika» – No u200611374; Zaiavl. 30. 10. 2006:$ Opubl. 25. 04. 2007, Biul. No 5. -3 s.

Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov. Per. s angl. / Pod red. R. A. Surisa. - M.: Mir, 1984. - T. 1, 456 s.

Stepanenko I. P. Osnovy teorii tranzistorov i tranzistornykh skhem. Izd. 4-e. - M.: Energiya, 1977. - 671 s.

Polyakova A. L. Deformaciya poluprovodnikov i poluprovodnikovykh priborov. M.: Energiya, 1979. - 168 s.

G. G. Babichev, V. N. Guz', I. P. ZHad'ko, S. I. Kozlovskij, V. A. Romanov. Issledovanie bipolyarnogo dvukhkollektornogo tenzotranzistora s uskoryayushchim elektricheskim polem

Glauberman M., V.V.Egorov, V.V.Kozel. O edinom fizicheskom i modelnom predstavlenii magnitochuvstvitelnyih svoystv bipolyarnyih tranzistornyih struktur // Izvestiya vuzov. Fizika. - 2009. - No.1. - S. 58-66.




Copyright (c) 2020 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)