ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ І МОДЕЛЬ ПРОХОДЖЕННЯ MOSFET

Автор(и)

  • Ю. О. Кругляк Одеський державний екологічний університет, Ukraine
  • М. В. Стріха Київський національний університет ім. Тараса Шевченка; Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2020.2.205822

Ключові слова:

наноелектроніка, польовий транзистор, MOSFET, модель ЛДЛ, метрика транзисторів, розсіювання електронів, модель проходження

Анотація

У сьомій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми докладно розглянули якісну картину явищ розсіяння електронів у каналі провідності нанотранзисторів. При цьому розгляді ключовим є поняття коефіцієнту проходження T(E) , який записується через середню довжину вільного пробігу щодо розсіяння назад λ (E) і довжину каналу провідності L . Узагальнена теорія електронного транспорту Ландауера – Датта – Лундстрома дозволила побудувати модель проходження MOSFET з урахуванням розсіяння електронів.

Посилання

. Yu. A. Kruglyak, M. V. Strikha. Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnolohii. 16, No 4, 5 – 26 (2019).

. M. Lundstrom, Fundamentals of Carrier Transport (Cambridge, U.K.: Cambridge Univ. Press: 2000).

. M. Lundstrom, С. Jeong, Near-equilibrium transport. Fundamentals and Applications (Singapore: World Scientific: 2013).

. Yu. A. Kruglyak, Nanoehlektronika «snizu – vverh» (Odessa: TES: 2015).

. M. Lundstrom, Fundamentals of Nanotransistors (Singapore: World Scientific: 2018); www.nanohub.org/courses/NT.

. P. A. M. Dirac, Proc. Royal Soc. A, 114, 243 – 265 (1927).

. E. Fermi, Nuclear Physics (Chicago: Univ. of Chicago Press: 1950).

. P. J. Price, Semiconductors and Semimetals, 14, 249 – 308 (1979).

. P. Palestri, D. Esseni, S. Eminente, C. Fiegna, E. Sangiorgi, L. Selmi, IEEE Trans. Electron Dev., 52: 2727 – 2735 (2005).

. R. Clerc, P. Palestri, L. Selmi, G. Ghibaudo, J. Appl. Phys., 110, 104502 (2011).

. Changwook Jeong, Raseong Kim, M. Luisier, S. Datta, M. Lundstrom, J. Appl. Phys., 107, 023707 (2010).

. M. V. Fischetti, T. P. O`Regan, N. Sudarshan, C. Sachs, S. Jin, J. Kim, Y. Zhang, IEEE Trans. Electron Dev., 54: 2116 – 2136 (2007).

. Yu. A. Kruglyak, M. V. Strikha. Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnolohii. 16, No 1, 7 – 40 (2019).

. Yu. A. Kruglyak, M. V. Strikha. Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnolohii. 16, No 3, 19 – 41 (2019).

. G. Gildenblat, J. Appl. Phys., 91, 9883 – 9886 (2002).

. S. Rakheja, M. Lundstrom, D. Antoniadis, Intern. Electron Dev. Mtg. (IEDM), Technical Digest, 35.1.1 – 35.1.4 (2014).

. T. Uechi, T. Fukui, N. Sano, Phys. Status Solidi C, 5, 102 – 106 (2008).

. A. Majumdar, D. A. Antoniadis, IEEE Trans. Electron Dev., 61: 351 – 358 (2014).

. Yu. A. Kruglyak, M. V. Strikha. Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnolohii. 17, No 1, 4 – 20 (2020).

. M. V. Fischetti, S. E. Laux, J. Appl. Phys., 89, 1205 – 1231 (2001).

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-07-01

Номер

Том 17 № 2 (2020)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.