ВЛАСТИВОСТІ НАДТОНКИХ ПЛІВОК ГЕТЕРОСТРУКТУР p(Pb1-xSnxSe) – n(CdSe) В ДАЛЬНІЙ ІЧ- ОБЛАСТІ СПЕКТРУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114553Ключові слова:
ІЧ-фотоприймач, напівпровідникові гетероструктури, інверсія зон, фотогетерорезисторАнотація
Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області λ=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно.
Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1-xSnxSe зі складом, чутливим в області λ=10
мкм при кімнатній температурі.
Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі p-n-переходу p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6…10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області λ=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.
Посилання
Козелкин В. В., Усольцев И. Ф. Основы инфракрасной техники. — М.: Машиностроение, 1997.— 264 c.
Sizov F. F. Quantum heterostructures in photoelectronics. Resources and levitations. // II Ukr. scient. сonf. on semiconductor physics.— Tом 1.— Чернівці.— 2004.— С.59.
В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца // Прикладная физика.—2001.— №6.— С. 66–112.
И. А. Иванченко, Л. М. Будиянская. Неохлаждаемые гетеропереходные фотоприемники на основе соединений А4В6 для дальній ИК-области спектра. // Тези доп. II Укр. конф. з фізики напівпровідників.—Том 2.— Чернівці–Вижниця.—2004.— С. 446–447.
Ю. Ф. Ваксман, Л. М. Будіянська, І. О. Іванченко. Кольородетектуючий фотоприймач на основі тонкоплівкового гетеропереходу p(Cu2O) — n(CdS) з регульованою спектрально-координатною чутливістю. // Фотоэлектроника.— 2003.— №12.— С. 76–79
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
