ВЛАСТИВОСТІ НАДТОНКИХ ПЛІВОК ГЕТЕРОСТРУКТУР p(Pb1-xSnxSe) – n(CdSe) В ДАЛЬНІЙ ІЧ- ОБЛАСТІ СПЕКТРУ

Автор(и)

  • Я. І. Лепіх Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України, Ukraine
  • І. О. Іванченко Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України, Ukraine
  • Л. М. Будіянська Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114553

Ключові слова:

ІЧ-фотоприймач, напівпровідникові гетероструктури, інверсія зон, фотогетерорезистор

Анотація

Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області λ=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно.
Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1-xSnxSe зі складом, чутливим в області λ=10
мкм при кімнатній температурі.
Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі p-n-переходу p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6…10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області λ=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.

Біографії авторів

Я. І. Лепіх, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України

Ya. I. Lepikh

І. О. Іванченко, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України

I. A. Ivanchenko

Л. М. Будіянська, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОНмолодьспорту і НАН України

L. M. Budiyanskaya

Посилання

Козелкин В. В., Усольцев И. Ф. Основы инфракрасной техники. — М.: Машиностроение, 1997.— 264 c.

Sizov F. F. Quantum heterostructures in photoelectronics. Resources and levitations. // II Ukr. scient. сonf. on semiconductor physics.— Tом 1.— Чернівці.— 2004.— С.59.

В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца // Прикладная физика.—2001.— №6.— С. 66–112.

И. А. Иванченко, Л. М. Будиянская. Неохлаждаемые гетеропереходные фотоприемники на основе соединений А4В6 для дальній ИК-области спектра. // Тези доп. II Укр. конф. з фізики напівпровідників.—Том 2.— Чернівці–Вижниця.—2004.— С. 446–447.

Ю. Ф. Ваксман, Л. М. Будіянська, І. О. Іванченко. Кольородетектуючий фотоприймач на основі тонкоплівкового гетеропереходу p(Cu2O) — n(CdS) з регульованою спектрально-координатною чутливістю. // Фотоэлектроника.— 2003.— №12.— С. 76–79

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-07-09

Номер

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори