УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ВИНИКНЕННЯ СТРУМУ, ФОРМУЛЮВАННЯ ЗАКОНУ ОМА І МОДИ ПРОВІДНОСТІ В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ–ВГОРУ»
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115007Ключові слова:
наноелектроніка, молекулярна електроніка, знизу-вгору, електричний струм, електрохімічний потенціал, функція Фермі, пружний резистор, моди провідності, закон Ома, провідники n-типу, провідники р-типу, графенАнотація
В рамках концепції «знизу–вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників n- і p-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.Посилання
Mitin Vladimir V., Kochelap Viatcheslav A., Stroscio Michael A. Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2012. – pp. 346.
Hoefflinger Bernd (Editor). Chips 2020: A Guide to the Future of Nanoelectronics (Frontiers Collection). – Berlin: Springer-Verlag. – 2012. – pp. 505.
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р. Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. – 368 с.
Находкін М. Г., Шека Д. І. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки. Підручник. – Київ: Видавничо-поліграфічний центр «Київський університет». – 2005. – 431 с.
Smit R. H. M., Noat Y., Untiedt C., Lang N. D., van Hemert M. C., van Rui-tenbeek J. M. Measurment of the conductance of a hydrogen molecule // Nature. – 2002. – V. 419, N 3. – P. 906 – 909.
Datta Supriyo. Electronic Transport in Mesoscopic Systems.- Cambridge: Cambridge University Press. – 2001. – pp. 377.
Datta Supriyo. Quantum Transport: Atom to Transistor. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2005. – pp. 404.
www.nanohub.org/topics/Electro-nicsFromTheBottomUp
Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatter-ers in metallic conduction // IBM J. Res. Dev. – 1957. – V. 1, N 3. – P. 223 – 231.
Landauer Rolf. Electrical resistance of disordered onedimensional lattices // Philos. Mag. – 1970. – V. 21. – P. 863 – 867.
Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scat-terers in metallic conduction // J. Math. Phys. – 1996. – V. 37, N 10. – P. 5259.
Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 473.
Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, том 1. – М: Мир. – 1979. – 400 с.
Sears F. W., Salinger G. L. Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. – Boston: Addison-Wesley. – 1975. – pp. 331 – 336, 355 – 361.
Kubo R. Statistical-Mechanical Theory of Irreversible Processes.I. General Theory and Simple Applications to Magnetic and Conduction Problems // J.Phys.Soc. Japan. – 1957. – V. 12. – P. 570 – 586.
Lundstrom M., Guo Jing. Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. – Berlin: Springer. – 2006. – pp. 300.
Nazarov Yuli V., Blanter Yaroslav M. Quantum Transport. Introduction to nanoscience.– Cambridge: Cambridge University Press. – 2009. – pp. 590.
Berg Howard C. Random walks in biology. – Princeton: Princeton University Press. – 1993. – pp. 152.
Стріха М.В. Фізика графену: стан і перспективи // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2010. – Т. 1(7), N 3. – С. 5 – 13.
Кругляк Ю. А., Кругляк Н. Е. Методические аспекты расчета зонной структуры графена с учетом σ–остова. Теоретические основы // Вісник Одеського держ. екологічного ун-ту. – 2012, В. 13. – С. 207 – 218.
Bolotin K. I., Sikes K. J., Hone J., Kim P., Stormer H. L. Temperature-Dependent Transport in Suspended Graphene // Phys. Rev. Lett. – 2008. – V. 101. – P. 096802/1-4.
Ільченко В. І., Проказа О. Т., Стріха М.В. Фізичні теорії: люди, ідеї, події: навчальний посібник. – Луганськ: Елтон-2. – 2012. – 384 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
