Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Поточний випуск
Архіви
Про нас
Про журнал
Подання
Редакційний штат
Заява про конфіденційність
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 9 № 4 (2012)
Том 9 № 4 (2012)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ВИНИКНЕННЯ СТРУМУ, ФОРМУЛЮВАННЯ ЗАКОНУ ОМА І МОДИ ПРОВІДНОСТІ В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ–ВГОРУ»
Ю. О. Кругляк, Н. Ю. Кругляк, М. В. Стріха
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115007
PDF
Біосенсори
РОЗРОБКА АВТОНОМНОЇ БАГАТОКАНАЛЬНОЇ ІМУНОСЕНСОРНОЇ КАМЕРИ ДЛЯ ПЛАЗМОН-ПОЛЯРИТОННИХ СПЕКТРОМЕТРІВ СЕРІЇ «ПЛАЗМОН»
В. Назаренко, Н. Сторожилова, Є. Макогоненко, Г. Березницький, І. Колеснікова, Е. Луговской, А. Самойлов, Ю. Ушенін
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115024
PDF
ПОТЕНЦІОМЕТРИЧНИЙ БІОСЕНСОР НА ОСНОВІ РЕКОМБІНАНТНОЇ УРЕАЗИ ДЛЯ КОНТРОЛЮ ВМІСТУ СЕЧОВИНИ В РЕАЛЬНИХ БІОЛОГІЧНИХ ЗРАЗКАХ
С. В. Марченко, О. П. Солдаткін
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115096
PDF
ЗАСТОСУВАННЯ АМОНІЙ-СЕЛЕКТИВНОГО ЦЕОЛІТУ ДЛЯ ПОКРАЩЕННЯ КОНДУКТОМЕТРИЧНОГО ДВОФЕРМЕНТНОГО БІОСЕНСОРА ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ L-АРГІНІНУ
О. Я. Саяпіна, М. Й. Мацишин, В. М. Пешкова, О. П. Солдаткін, В. Г. Мельник, А. Валкаріус, Н. Жаффрезик-Рено, С. В. Дзядевич
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115126
PDF (English)
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)
СИЛИ ОСЦИЛЯТОРА МІЖЗОННИХ КВАНТОВИХ ПЕРЕХОДІВ У БАГАТОШАРОВИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ З ДОМІШКОЮ
В. А. Головацький, І. Б. Франків, О. М. Войцехівська
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115151
PDF
Акустоелектронні сенсори
ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ П'ЄЗОЕЛЕКТРИЧНОГО ТЕМПЛАТА
В. Ф. Косоротов, Л. В. Щедрина
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115011
PDF (Русский)
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів
ВПЛИВ КОМБІНОВАНИХ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ВИПРОМІНЮВАНЬ НА ПАРАМЕТРИ КРЕМНІЄВИХ МДН- ТРАНЗИСТОРІВ
Б. П. Коман
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115268
PDF
Матеріали для сенсорів
ВИГОТОВЛЕННЯ МОНОДИСПЕРСНИХ КЕРАМІЧНИХ ПОРОШКІВ SiC І Si3N4 З ВИКОРИСТАННЯМ CO2-ЛАЗЕРА
Ш. Д. Курмашев, А. Н. Софронков, Т. М. Бугайова, Т. І. Лавренова, Н. С. Дзюба
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115154
PDF (Русский)
Сенсори та інформаційні системи
АДАПТАЦІЯ МЕТОДУ ШТУЧНИХ НЕЙРОННИХ МЕРЕЖ ДО АНАЛІЗУ СИГНАЛІВ РЕЛАКСАЦІЙНОЇ СПЕКТРОСКОПІЇ ГЛИБОКИХ РІВНІВ
Д. Б. Грязнов, С. А. Корінь, В. Я. Опилат, О. В. Третяк
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115253
PDF
ГОМОГЕННИЙ МЕДІАТОРНИЙ КАТАЛІЗ ДЛЯ ПІДВИЩЕННЯ КОЕФІЦІЄНТУ ПЕРЕТВОРЕННЯ АМПЕРОМЕТРИЧНОГО СЕНСОРУ
О. В. Лінючева, О. І. Букет, О. В. Нагорний
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115259
PDF (Русский)
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems