ВПЛИВ КОМБІНОВАНИХ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ВИПРОМІНЮВАНЬ НА ПАРАМЕТРИ КРЕМНІЄВИХ МДН- ТРАНЗИСТОРІВ

Б. П. Коман

Анотація


В роботі досліджено вплив рентгенівського та імпульсного лазерного (λ = 1,06 мкм, τ =10-3 с) випромінювань на параметри кремнієвих МДН-транзисторів з довжинами каналів 1…10 мкм. Отримані результати спостережуваних змін параметрів інтерпретуються в рамках моделі додатнього заряду в об’ємі підзатворного діелектрика SiO2 та дефектно-домішкової природи міжфазної границі Si-SiO2 , потенціальний рельєф якої зазнає структурної трансформації під дією рентгено-лазерної обробки.

Ключові слова


МДН-транзистор; рентгенівське опромінення; параметри; лазерна обробка; підпороговий; заряд; напруга; струм; кремній

Повний текст:

PDF

Посилання


Васильева И. В., Ефремов Г. А., Козловский В. В. и др. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники.-М.: Энергоатомиздат, 1997.-273c.

Вавилов В. С., Горин Б. М., Данилин Н. С. и др., Радиационные методы

в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 184 с.

Готра З.Ю., Бобицький Я.В. Лазерні методи обробки в мікроелектроніці.- Л.; Світ, 1991. -166c.

Гнатюк В. А., Городниченко Е. С. Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb// ФТП. – 2003.–Т.37,В.4. – C.414-418.

Емельянов В. И., Кашкаров П. К. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии // Поверхность.Физика, химия, механика. – 1990. – №2. – С. 77 – 85.

Гороховатский Ю. А, Бордовский Г. А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. – М.: Наука, 1991.– 341 с .

Koman B. P., Galchynskyy O. V., Kovalyuk R. O. Alfa-particle irradiation induced defects in SiO2 films of Si-SiO2 structured // NIM B. – 1996. – №116. – P. 389 – 392.

McWhorter F. G., Winokur P. S. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistor. //Appl. Phys. Lett. – 1986. –V. 48, № 2.

– P. 133 – 136.

Gaitan M., Russell T. J. Measurement of Radiation-Induced Interface Traps Using MOSFETs //IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1984. – V. S – 31, №6. – P. 1256 – 1260.

Зи. С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 – х книгах. – 2 – е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984.

Коман Б. П. Вплив рентгенівського опромінення на кремнієві МДН-

транзистори //Укр. фіз. жур. – 2000. – Т.45, №12. – С. 1440 – 1445.

Пат. 86018 Україна H01L2 7Н01L21/26 Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора. – Коман Б. П., Морозов Л. М.; – №2005 09623; заявл. 13.10.2005; опубл. 25.04.2007. Бюл. №2.

Козлов В. А., Козловский В. В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении

протонами и α-частицами //ФТП. – 2001. – Т.35, В.7. – С. 769 – 795.

Вовк О. В., Лелеченко В. П., Солошенко В. И. и др. Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si – SiO2 после радиационных воздействий//ФТП.– 1993. – Т. 27. – В.8. – С. 1349–1353.

Mrstik B. J., Rende R. W. Si-SiO2 interface generation during x-ray irradiation and during post-irradiation exposure to a hydrogen ambient. // IEEE Trans. Nucl. Phys. –1991. – V.38, N 6. – P.1101– 1107.

Бормонтов Е. Н., Левин М. Н., Кадменский Г. И. Влияние радиационного воздействия на харакеристики МДП-транзистора. // Письма в ЖТФ.-2004.– – Т. 30, B. 9. – C. 73-81.

Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Энергоатомиздат, М., 256 с. (1988).

Вавилов В. С., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 2010.-216с.

Литовченко В. Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. К.,Наукова думка, 1978.-326с.

Griscom D. L. Diffusion of radiolytic molecular hydrogen as a mechanism fо the post-irradiation buildup of interface states in SiO2 on Si structures. // J. Appl. Phys. – 1988. – V. 58, N 7. – P.2524–2533.

Дмитриев С. Г., Маркин Ю. В. Проявление процесса денейтрализации

подвижного заряда в SiO2 при спектроскопии границы раздела кремнийокисел // ФТП.– 1998. – Т. 32. – В.12.– – С. 1445–1449 .

Дмитриев С. Г., Маркин Ю. В. Аномальный эффект Шотки на границе

раздела полупроводник-диэлектрик. // ФТП. – 1996. – Т.30. – В.7. – С. 1231–1234 .




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115268

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)