СИЛИ ОСЦИЛЯТОРА МІЖЗОННИХ КВАНТОВИХ ПЕРЕХОДІВ У БАГАТОШАРОВИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ З ДОМІШКОЮ

Автор(и)

  • В. А. Головацький Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича http://orcid.org/0000-0002-5573-2562
  • І. Б. Франків Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • О. М. Войцехівська Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.4.115151

Ключові слова:

багатошарова квантова точка, енергетичний спектр, сили осцилятора, домішка

Анотація

Варіаційним методом у наближенні ефективної маси досліджено спектр і хвильові функції електронів та дірок в багатошарових сферичних квантових точках з воднеподібною донорною домішкою. Розраховано еволюцію залежностей розподілу густини ймовірності знаходження квазічастинок в системі від положення зарядженої домішки в багатошарових квантових точках різного типу. Отримано залежності сил осциляторів міжзонних квантових переходів у різних сферичних наносистемах від положення домішки. Показано, що домішка, розміщена в центрі квантової точки, а також в бар’єрному шарі наносистеми мало змінює інтенсивність міжзонних квантових переходів. Найбільший вплив на значення сили осцилятора квантового переходу між найнижчими станами електрона та дірки спостерігається для багатошарових квантових точок з ядром, що утворює потенціальний бар’єр та зарядженою домішкою, поміщеною в потенціальній ямі сферичної оболонки наносистеми. В таких наносистемах залишається відчутний вплив зовнішніх зарядів на інтенсивність міжзонних переходів. Це створює перспективи створення на їх основі сенсорів нового типу.

Біографії авторів

В. А. Головацький, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

V. A. Holovatsky

І. Б. Франків, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

I. B. Frankiv

О. М. Войцехівська, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

O. M. Voitsehivska

Посилання

Frasco M. F., Chaniotakis N., Semiconductor Quantum Dots in Chemical Sensors and Biosensors// Sensors. – 2009. – V.9, P.7266-7286.

Yu-San Liu, Yinghua Sun, Thomas Vernier, Chi-Hui Liang, Suet Ying Christin Chong, Martin A. Gundersen, pH-sensitive Photoluminescence of CdSe/ZnSe/ZnS Quantum Dots in Human Ovarian Cancer Cells//J Phys Chem C Nanomater Interfaces. – 2007. – V.111, №7. – P.2872-2878.

Demir H. V., Nizamoglu S., Mutlugun E., Ozel T., Sampra S., Gaponik N., Eychmuller A., Tuning shades of white light with multi-color quantum-dot–quantum-well emitters based on onion-like CdSe–ZnS heteronanocrystals//Nanotechnology. – 2008. – V.19. – P.335203(6).

Tkach M., Holovatsky V., Voitsekhivska O., Min’kova M., Exciton-phonon interaction in spherical nanoheterosystem CdS/HgS/H2O Phys. Stat. Sol. – 1997. – V.203, № 2. – P.373-386.

Holovatsky V., Makhanets O., Voitsekh-ivska O., Oscillator strengths of electron quantum transitions in spherical nanosystems with donor impurity in the center // Physica E. – 2009. – V.41. – P.1522-1526.

Yilmaz S., Safak H., Oscillator strengths for the intersubband transitions in a CdS–SiO2 quantum dot with hydrogenic impurity// Physica E. – 2007. – V.36. – P.40-44.

Boichuk V. L., Bilynskyi I. V., Leshko R. Ya., Voronyak L. Ya., Stationary and quasistationary states of hydrogenic impurity in a spherical quantum antidot // Ukr. J. Phys. – 2009. – V.54, № 10. – P.1021-1026.

Taş H., Şahin M., The electronic pro-perties of a core/shell/well/shell sphe-rical quantum dot with and without a hydrogenic impurity// J. Appl. Phys. – 2012. – V.111. – P.083702.

Sadeghi S., Impurity binding energy of excited states in spherical quantum dot// Physica E. – 2009. – V.41. – P.1319.

Ткач Н. В., Головацкий В. А., Франкив И. Б., Примесные состояния электронов в сферических наносистемах // Наносистеми, наноматеріали, нано-технології. – 2011. – Т. 9, № 4. – С.783–794.

Alen B., Bosch J., Granados D., Martinez-Pastor J., Garcia J., Gonzalez L., Oscillator strength reduction induced by external electric fields in self-assembled quantum dots and rings// Phys.Rev. B. – 2007. – V.75. – P.045319(7).

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-10-14

Номер

Розділ

Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)