ОДЕРЖАННЯ ТА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ n-CdO/p-Si
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114699Ключові слова:
тонка плівка, n-CdO/p-Si, коефіцієнти екстинкції та поглинання, показник заломлення, тунелюванняАнотація
Досліджувалися отримання, структурні та оптичні властивості тонких плівок CdO. Тонкі плівки були отримані з кадмієвої мішені методом реактивного магнетронного розпилення на постійному струмі. З експериментальних результатів розраховані показник заломлення, коефіцієнт екстинкції та поглинання. Нанесенням оксиду кадмію на кремнієву підкладку р-типу створено гетероструктуру n-CdO/p-Si та досліджено її вольт-амперні (ВАХ) та вольт-фарадні (ВФХ) характеристики. Із аналізу ВАХ та ВФХ оцінено основні механізми струмопереносу створених діодних структур.Посилання
Look D., Reynolds D., Sizelove J., Jones R., Litton C., Cantwell G., and Harsh W., Electrical properties of bulk ZnO // Solid State Comm. — 1998. — V.105. — P. 399-401.
Garla C., Liang S., Emanetoglu N., Mayo W., Shen H., Wrabak M., and Lu Y., Structural, optical, and surface acoustic wave properties of epitaxial ZnO film grown on (012) sapphire by metalorganic chemical vapour deposition // J. Appl. Phys. 1998. — V.85. — P. 2595–2602.
Look D., Recent advances in ZnO materials and devices // Mater. Sci. Eng. B. – 2001. – V.80. – P. 383-387.
Bagnall D., Chen Y., Shen M., Zhu Z., Goto T., and Yao T., Room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assited MBE // J Cryst, growth. — 1998. — V.184/185. — P. 605-609.
Загоруйко Ю. А, Коваленко Н. О., Федоренко О. А., Федоров А. Г., Матейченко П. В., Текстурированные пленки СdO, полученные методом фототермического окисления // Письма в ЖТФ. 2007. — Т.33, №4. — С. 51–57.
Чопра К. Л., Дас С. Т. Тонкопленочные солнечные элементы. — М.: Мир, 1986. — 440 с.
Хомяк В. В., Структурні та фізичні властивості плівок CdO, одержаних реактивним магнетронним розпилюванням // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — 2010 — Т.1(7), №3. — С. 69–73.
Williamson G. K., Smallman R. E., Dislo-cation densities in some annealed and cold worked metals from measurements on the X-ray debye-scherrer spectrum // Philosophical Magazine. — 1956. — V.1, №1, — P. 34–46.
Gumus C., Ozkendir O. M., Kavak H., Ufuk-tepe Y., Structural and optical properties of zinc oxide thin films prepared by spray pyrolysis method // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – 2006. — V.8, №1. — P. 299–303.
Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. — М.: Наука, 1977. — 368 с.
Ma D. W., Ye Z. Z., Chen L. L. Dependence of structural and optical properties of Zn1-xCdxO films on the Cd composition // Phys. stat. sol. (a). — 2004. — V.201, №13. — P. 2929–2933.
Ramakishna Reddy K. T., Sravani C., Miles R. W. Characterisation of CdO thin films deposited by activated reactive evaporation // Journal of Crystal Growth. — 1998.— V.184/185. — P. 1031–1034.
Шарма Б. Л., Пурохит Р. К., Полупроводниковые гетеропереходы. — М: Сов. Радио, 1979 [Пер.з англ. Sharma B.L., Purohit R. K., Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press 1974)].
Matsuura H., Hydrogenated amorphous-silicon/crystalline-silicon heterojunctions: properties and applications // IEEE Transactions. — 1989.— V.36, №12. — P. 2908-2914.
Zhang Y., Xu J., Lin В., Fu Z., Zhong S., Liu Ci., Zhang Z., Fabrication and electrical characterization ofnanocrystalline ZnO/Si heterojunctions // Applied Surface Science.– 2006. — V.252. — P. 3449-3453.
Mimura H., Hatanaka Y., Carrier transport mechanisms of p-type amorphous–n-type crystalline silicon heterojunctions // J. Appl. Phys. — 1992. — V.71, №.3. — P. 2315-2321.
Aguir K., Fennouh A., Carchano H., Se-guin J. L., Elhadadi B., Lalande F., Electrical properties of a-GaAs/c-Si (p) heterojunctions // Thin Solid Films. — 1995. — V.257, №1. — P. 98–103
Sze S. M., Physics of Semiconductor Devices (2nd Edition). — New York : Wiley, 1981. — 442 р.
Lampert M. A. and Mark P., Current Injection in Solids. — New York: Academic Press, 1970. — 351 p.
Брус В. В., Илащук М. И., Хомяк В. В., Ковалюк З. Д., Марьянчук П. Д., Ульяницкий К. С., Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdZnO/p-CdTe // ФТП.— 2012 — Т. 46, №9. — С. 1175–1180.
Физико-химические свойства полупровод-никовых веществ: Справочник. Коллектив авторов. — М.: Наука, 1978. — 339 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
