УРАХУВАННЯ РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ В УЗАГАЛЬНЕНІЙ МОДЕЛІ ЛАНДАУЕРА – ДАТТА – ЛУНДСТРОМА
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.4.86639Ключові слова:
нанофізика, наноелектроніка, розсіяння електронів, розсіяння фононів, коефіцієнт проходження, довжина вільного пробігу, коефіцієнт дифузії, рухливість, Si MOSFETАнотація
У методичній статті, розрахованій на науковців, викладачів та студентів вищої школи, з позицій концепції «знизу – вгору» узагальненої транспортної моделі Ландауера – Датта – Лундстрома (ЛДЛ) показано: при описі транспорту електронів у провіднику в дифузійному режимі важливу роль відіграє середня довжина вільного пробігу , яка визначає коефіцієнт проходження . На прикладі 1D провідника виводиться базове співвідношення між Т і . Встановлюється зв'язок між і часом релаксації імпульсу для провідників різної вимірності. Наводиться методика оцінки усередненого значення довжини вільного пробігу з експериментальних даних через коефіцієнт дифузії і встановлюється зв'язок довжини вільного пробігу з рухливістю. Як приклад аналізуються експериментальні дані для польового транзистора Si MOSFET в різних наближеннях.Посилання
Yu. O. Kruglyak, M. V. Strikha. Uzahalnena model elektronnoho transportu v mikro- i nanoelektronitsi // Sens. elektron. mikrosist. tehnol. – 2015. – t. 12, No. 3. S. 4 – 27 (in Ukrainian).
Yu. O. Kruglyak, M. V. Strikha. Termoelektrychni yavyshcha ta prystroi z pozytsii uzahalnenoi modeli transportu elektroniv // Sens. elektron. mikrosist. tehnol. – 2015. – t. 12, No. 4. S. 5 – 18 (in Ukrainian).
Yu. O. Kruglyak, M. V. Strikha. Termoelektrychni koefitsiienty v uzahalneniі modeli transportu elektroniv// Sens. elektron. mikrosist. tehnol. – 2016. – t. 13, No. 1. S. 5 – 23 (in Ukrainian).
Yu. O. Kruglyak, M. V. Strikha. Transport tepla fononamy v uzahalnenii modeli LandaueraDatta-Lundstroma // Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 2016. – t. 13, No. 2. S. 16 – 35 (in Ukrainian).
Yu. O. Kruglyak, M. V. Strikha. Transportni yavyshcha v hrafeni v uzahalnenii modeli Landauera-Datta-Lundstroma // Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 2016. – t. 13, No. 3. S. 5 – 29 (in Ukrainian).
Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 473;www.nanohub.org/courses/FoN1.
Lundstrom Mark, Jeong Changwook.Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2013. – pp. 227; www. nanohub. org/resources/11763.
Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction, IBM J. Res. Dev., V. 1, N 3., 223 – 231 (1957).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
