ЗАСТОСУВАННЯ ГІБРИДНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ СТВОРЕННЯ ЕЛЕМЕНТІВ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ

Автор(и)

  • Л. С. Монастирський Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • О. І. Аксіментьєва Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine https://orcid.org/0000-0003-2964-4996
  • І. Б. Оленич Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • Б. С. Соколовський Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • М. Р. Павлик Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • П. П. Парандій Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114711

Ключові слова:

поруватий кремній, гібридні структури, сенсори, адсорбція, адсорбційна чутливість, провідність, електрична ємність, фотоерс

Анотація

Створено багатошарові сенсорні структури спряжений полімер – поруватий кремній. Вивчено вплив адсорбції молекул води на високочастотну (1 МГц) провідність і ємність гібридних структур на основі поруватого кремнію. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних структур. Виявлено утворення фоточутливих електричних бар’єрів у гібридній структурі поліетилендіокситіофен – поруватий кремній, параметри яких у значній мірі залежали від оточуючої газової атмосфери. Отримані результати дозволяють оптимізувати процеси формування високочутливих та селективних сенсорів газу на основі поруватого кремнію.

Біографії авторів

Л. С. Монастирський, Львівський національний університет імені Івана Франка

L. S. Monastyrskii

О. І. Аксіментьєва, Львівський національний університет імені Івана Франка

O. I. Aksimentyeva

І. Б. Оленич, Львівський національний університет імені Івана Франка

I. B. Olenych

Б. С. Соколовський, Львівський національний університет імені Івана Франка

B. S. Sokolovskii

М. Р. Павлик, Львівський національний університет імені Івана Франка

M. R. Pavlyk

П. П. Парандій, Львівський національний університет імені Івана Франка

P. P. Parandiy

Посилання

Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surface science reports. – 2000. — V. 38. — P. 1–126.

Ozdemir S., Gole J. The potential of porous silicon gas sensors // Curr. Opin. in Solid State and Mater. Science. — 2007. — V. 11. — P. 92-100.

Rittersma Z. M. A monitoring instrument with capacitive porous silicon humidity sensors // Smart Mater. Struct. — 2000. — V. 9. — P. 351–356.

Baratto C., Faglia G., Sberveglieri G. Gaburro Z., Pancheri L., Oton C., Pavesi L. Multipara-metric Porous Silicon Sensors // Sensors. — 2002. — V.2. — P.121–126.

Монастирський Л. С., Оленич І. Б., Аксіментьєва О. І., Соколовський Б. С., Павлик М. Р. Газоадсорбційні сенсорні структури на основі поруватого кремнію // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2011. – Т. 2(8), №3. - С. 38-43.

Misra S., Bhattacharya R., Angelucci R. Integrated polymer thin film macroporous silicon microsystems // J. Indian Inst. Sci. — 2001. — Vol. 81. — P. 563–567.

Аксіментьєва О. І. Електрохімічні методи синтезу та провідність спряжених полімерів. — Львів: Світ, 1998. — 154 с.

Лукьянова Е. Н., Козлов С. Н., Ефимова А.И., Демидович Г. Б. Динамика взаимодействия молекул воды с пористым кремнием // Структура и динамика молекулярных систем. — 2003. — Вып. Х, № 3. — С. 41–44.

Вашпанов Ю. А., Смынтына В. А. Адсорбционная чувствительность полупроводников. — Одесса: Астропринт, 2005. — 216 c.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-07-10

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів