ЗАСТОСУВАННЯ ГІБРИДНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ СТВОРЕННЯ ЕЛЕМЕНТІВ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ

Автор(и)

  • Л. С. Монастирський Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • О. І. Аксіментьєва Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна https://orcid.org/0000-0003-2964-4996
  • І. Б. Оленич Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • Б. С. Соколовський Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • М. Р. Павлик Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • П. П. Парандій Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114711

Ключові слова:

поруватий кремній, гібридні структури, сенсори, адсорбція, адсорбційна чутливість, провідність, електрична ємність, фотоерс

Анотація

Створено багатошарові сенсорні структури спряжений полімер – поруватий кремній. Вивчено вплив адсорбції молекул води на високочастотну (1 МГц) провідність і ємність гібридних структур на основі поруватого кремнію. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних структур. Виявлено утворення фоточутливих електричних бар’єрів у гібридній структурі поліетилендіокситіофен – поруватий кремній, параметри яких у значній мірі залежали від оточуючої газової атмосфери. Отримані результати дозволяють оптимізувати процеси формування високочутливих та селективних сенсорів газу на основі поруватого кремнію.

Посилання

Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surface science reports. – 2000. — V. 38. — P. 1–126.

Ozdemir S., Gole J. The potential of porous silicon gas sensors // Curr. Opin. in Solid State and Mater. Science. — 2007. — V. 11. — P. 92-100.

Rittersma Z. M. A monitoring instrument with capacitive porous silicon humidity sensors // Smart Mater. Struct. — 2000. — V. 9. — P. 351–356.

Baratto C., Faglia G., Sberveglieri G. Gaburro Z., Pancheri L., Oton C., Pavesi L. Multipara-metric Porous Silicon Sensors // Sensors. — 2002. — V.2. — P.121–126.

Монастирський Л. С., Оленич І. Б., Аксіментьєва О. І., Соколовський Б. С., Павлик М. Р. Газоадсорбційні сенсорні структури на основі поруватого кремнію // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2011. – Т. 2(8), №3. - С. 38-43.

Misra S., Bhattacharya R., Angelucci R. Integrated polymer thin film macroporous silicon microsystems // J. Indian Inst. Sci. — 2001. — Vol. 81. — P. 563–567.

Аксіментьєва О. І. Електрохімічні методи синтезу та провідність спряжених полімерів. — Львів: Світ, 1998. — 154 с.

Лукьянова Е. Н., Козлов С. Н., Ефимова А.И., Демидович Г. Б. Динамика взаимодействия молекул воды с пористым кремнием // Структура и динамика молекулярных систем. — 2003. — Вып. Х, № 3. — С. 41–44.

Вашпанов Ю. А., Смынтына В. А. Адсорбционная чувствительность полупроводников. — Одесса: Астропринт, 2005. — 216 c.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-07-10

Номер

Том 9 № 3 (2012)

Розділ

Матеріали для сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.