ВЛАСТИВОСТІ ZnSe ТА CdTe ЛЕГОВАНИХ ІЗОВАЛЕНТНОЮ ДОМІШКОЮ Сa

М. М. Сльотов, І. І. Герман, О. М. Сльотов, В. В. Косоловський

Анотація


Досліджено вплив ізовалентної домішки Ca на оптичні та фотоелектричні властивості CdTe та ZnSe. Показано, що на основі легованих матеріалів можливо отримувати люмінофори з ефективним випромінюванням у крайовій області і фоточутливі p-n-структури. Проводиться аналіз фізичних процесів, які визначають фоточутливість та випромінювання сенсорів на основі легованих шарів.

Ключові слова


ізовалентна домішка; люмінесценція; відбивання; фоточутливість

Повний текст:

PDF

Посилання


Алферов Ж. И., История и будущее полу-проводниковых структур // ФТП. — 1998. — T.32, №1. — С. 3-19.

Ермаков О., Прикладная оптоэлектроника. — М.: Техносфера, 2004. — 416 с.

Фистуль В. И., Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение). — М.: Физматлит, 2004. — 432 с.

Слётов М. М., Косоловский В. В., Слётов А.М., Ульяницкий К.С., Сенсоры с изовалентными примесями // Sensor Elec-tronics and Microsystem Technologies. - 2011. — T.2, №8. — С. 71–75.

Махний В. П., Косоловский В. В., Слётов М. М., Скрипник Н. В., Природа краевой люминесценции диффузионных слоёв CdTe:Mg // ФТП. — 2010. — T.44, №9. — С. 1203–1205.

Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P., Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center param- eters // Thin Solid Films. — 2004. — № 450. — P. 222-225.

Георгобиани А. Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М., Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках // Труды ФИАН. — 1985. — № 163. — С. 39-100.

Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г., Оптические свойства полупроводников. Справочник. — Киев: Наукова думка, 1987. — 608 с.

Koh Era, Langer D. W., Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. — 1970. — №1–2. — P. 514–527.

Физика соединений А2В6 / Под ред. Георгобиани А. Н. и Шейнкмана М. К. — М.: Мир, 1986. — 320 с.

Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. —Минск: Наука и техника, 1975. — 464 с.

Косяченко Л. А., Основи інтегральної та волоконної оптики. Навчальний посібник. — Чернівці: Рута, 2004. — 348 с.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114942

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)