ВЛАСТИВОСТІ ZnSe ТА CdTe ЛЕГОВАНИХ ІЗОВАЛЕНТНОЮ ДОМІШКОЮ Сa
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.3.114942Ключові слова:
ізовалентна домішка, люмінесценція, відбивання, фоточутливістьАнотація
Досліджено вплив ізовалентної домішки Ca на оптичні та фотоелектричні властивості CdTe та ZnSe. Показано, що на основі легованих матеріалів можливо отримувати люмінофори з ефективним випромінюванням у крайовій області і фоточутливі p-n-структури. Проводиться аналіз фізичних процесів, які визначають фоточутливість та випромінювання сенсорів на основі легованих шарів.Посилання
Алферов Ж. И., История и будущее полу-проводниковых структур // ФТП. — 1998. — T.32, №1. — С. 3-19.
Ермаков О., Прикладная оптоэлектроника. — М.: Техносфера, 2004. — 416 с.
Фистуль В. И., Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение). — М.: Физматлит, 2004. — 432 с.
Слётов М. М., Косоловский В. В., Слётов А.М., Ульяницкий К.С., Сенсоры с изовалентными примесями // Sensor Elec-tronics and Microsystem Technologies. - 2011. — T.2, №8. — С. 71–75.
Махний В. П., Косоловский В. В., Слётов М. М., Скрипник Н. В., Природа краевой люминесценции диффузионных слоёв CdTe:Mg // ФТП. — 2010. — T.44, №9. — С. 1203–1205.
Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P., Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center param- eters // Thin Solid Films. — 2004. — № 450. — P. 222-225.
Георгобиани А. Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М., Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках // Труды ФИАН. — 1985. — № 163. — С. 39-100.
Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г., Оптические свойства полупроводников. Справочник. — Киев: Наукова думка, 1987. — 608 с.
Koh Era, Langer D. W., Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. — 1970. — №1–2. — P. 514–527.
Физика соединений А2В6 / Под ред. Георгобиани А. Н. и Шейнкмана М. К. — М.: Мир, 1986. — 320 с.
Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. —Минск: Наука и техника, 1975. — 464 с.
Косяченко Л. А., Основи інтегральної та волоконної оптики. Навчальний посібник. — Чернівці: Рута, 2004. — 348 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
