Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Поточний випуск
Архіви
Про нас
Про журнал
Подання
Редакційний штат
Заява про конфіденційність
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 16 № 1 (2019)
Том 16 № 1 (2019)
Опубліковано:
2019-04-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ: ІСТОРІЯ СТАНОВЛЕННЯ, УСПІХУ, ПРОБЛЕМ І ПЕРСПЕКТИВ
В. М. Локтєв
5-23
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159484
PDF
ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: ТЕОРІЯ MOSFET В ТРАДИЦІЙНОМУ ВИКЛАДІ, ОСНОВИ МОДЕЛІ ВІРТУАЛЬНОГО ВИТОКУ Й НАБЛИЖЕННЯ ВИСНАЖЕННЯ
Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха
24-49
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159485
PDF
Проектування і математичне моделювання сенсорів
ДЕТЕКТУВАННЯ КОНЦЕНТРАЦІЇ АТОМІВ Na ШАРУВАТИМИ ХАЛЬКОГЕНІДАМИ ОЛОВА: РОЗРАХУНКИ ІЗ ПЕРШИХ ПРИНЦИПІВ
Р. М. Балабай, Ю. О. Прихожа, О. Х. Тадеуш
50-58
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159487
PDF
Сенсори фізичних величин
ІНДИКАЦІЯ ТИСКУ ЗА ЧАСОМ ВСЕРЕДИНІ ПОТОКУ РІДИНИ СЕНСОРОМ НА ОСНОВІ ПНЕВМАТИЧНОГО ФОТОННОГО КРИСТАЛУ
Є. Я. Глушко, О. М. Степанюк
59-67
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159488
PDF
Матеріали для сенсорів
ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА МАГНІТНУ ЧУТЛИВІСТЬ МОНОКРИСТАЛІВ n-Si<P>
С. В. Луньов, А. І. Зімич, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела
68-76
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159490
PDF
ОПТИМІЗАЦІЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ ВИКОРИСТАННЯ В СОНЯЧНИХ БАТАРЕЯХ
В. Ю. Єрохов, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало
77-86
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159492
PDF
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems